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1. (WO2011013621) 窒化物半導体レーザダイオード
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/013621    国際出願番号:    PCT/JP2010/062527
国際公開日: 03.02.2011 国際出願日: 26.07.2010
IPC:
H01S 5/343 (2006.01)
出願人: NICHIA CORPORATION [JP/JP]; 491-100, Oka, Kaminaka-cho, Anan-shi, Tokushima 7748601 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYOSHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYOSHI, Takashi; (JP)
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2009-179810 31.07.2009 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE-SEMICONDUCTOR LASER DIODE
(FR) DIODE LASER À SEMI-CONDUCTEUR NITRURÉ
(JA) 窒化物半導体レーザダイオード
要約: front page image
(EN)Disclosed is a nitride-semiconductor laser diode provided with: a substrate; an n-side nitride-semiconductor layer formed on the substrate; an active layer formed on the n-side nitride-semiconductor layer, and which has a light-emitting layer that comprises InxAlyGa1-x-yN (0 < x < 1, 0 ≤ y < 1, 0 < x + y < 1); and a p-side nitride-semiconductor layer formed on the active layer. The oscillation wavelength of the nitride-semiconductor laser diode is equal to or more than 500 nm, and a dislocation generated with the active layer as the starting point pierces through the aforementioned p-side nitride-semiconductor layer, and the dislocation density of the p-side nitride-semiconductor layer is equal to or more than 1 × 106 cm-2. The concentration distribution of p-type impurities in the deepness direction has, when proceeding from the light-emitting layer towards the surface of the p-side nitride-semiconductor layer, a local maximum wherein the concentration of p-type impurities becomes equal to or more than 5 × 1018 cm-3, within a range of 300 nm from the upper end of the light-emitting layer nearest to the p-side nitride-semiconductor layer, and will not become less than 6 × 1017 cm-3 within a range of 300 nm from the same, after passing the local maximum.
(FR)L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur nitruré comportant : un substrat ; une couche de semi-conducteur nitruré du côté n formée sur le substrat ; une couche active formée sur la couche de semi-conducteur nitruré du côté n, et comportant une couche électroluminescente comprenant du InxAlyGa1-x-yN (0 < x < 1, 0 ≤ y < 1, 0 < x + y < 1) ; et une couche de semi-conducteur nitruré du côté p formée sur la couche active. La longueur d'onde d'oscillation de la diode laser à semi-conducteur nitruré est supérieure ou égale à 500 nm, et une dislocation générée avec la couche active quand le point de départ perce à travers la couche de semi-conducteur nitruré du côté p susmentionnée, et la densité de la dislocation de la couche de semi-conducteur nitruré du côté p est supérieure ou égale à 1 × 106 cm-2. La distribution de la concentration des impuretés de type p dans la direction de la profondeur a, en allant de la couche électroluminescente vers la surface de la couche de semi-conducteur nitruré du côté p, un maximum local dans lequel la concentration des impuretés de type p devient supérieure ou égale à 5 × 1018 cm-3, dans une plage de 300 nm depuis l'extrémité supérieure de la couche électroluminescente la plus proche de la couche de semi-conducteur nitruré du côté p, et ne devient pas inférieure à 6 × 1017 cm-3 dans une plage de 300 nm depuis celle-ci, après avoir dépassé le maximum local.
(JA) 基板と、基板の上に形成されたn側窒化物半導体層と、n側窒化物半導体層の上に形成され、InAlGa1-x-yN(0<x<1、0≦y<1、0<x+y<1)を含む発光層を有する活性層と、活性層の上に形成されたp側窒化物半導体層と、を備えた窒化物半導体レーザダイオードであって、窒化物半導体レーザダイオードの発振波長は500nm以上であり、活性層を起点として発生した転位が前記p側窒化物半導体層を貫通して、p側窒化物半導体層の転位密度は1×10cm-2以上となっており、p型不純物の深さ方向の濃度分布は、発光層からp側窒化物半導体層の表面に向かって、p側窒化物半導体層に最も近い発光層の上端から300nm以内の範囲にp型不純物濃度が5×1018cm-3以上となる極大を有し、極大を過ぎた後、上記の300nm以内の範囲では6×1017cm-3を下回らない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)