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1. (WO2011013599) 光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/013599    国際出願番号:    PCT/JP2010/062488
国際公開日: 03.02.2011 国際出願日: 26.07.2010
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHMI, Tadahiro; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg., 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
優先権情報:
2009-179181 31.07.2009 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a photoelectric conversion device which comprises a passivation layer that is suitable for a structure provided with a heat dissipation mechanism. Specifically disclosed is a photoelectric conversion device (1) which comprises a first electrode layer (20), a single power-generating laminate (22) that is provided with an nip structure formed of amorphous silicon (a-Si), and a second electrode layer (26) that is composed of Al and formed on the power-generating laminate (22) with a nickel layer (24) interposed therebetween. A passivation layer (28), which is configured of a material containing SiCN, is formed on the second electrode layer (26). A heat sink (30) (that is formed, for example, of Al) is mounted on the passivation layer (28) with an adhesive layer (29) interposed therebetween.
(FR)L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique comprenant une couche de passivation appropriée à une structure dotée d'un mécanisme de dissipation thermique. Plus spécifiquement, le dispositif de conversion photoélectrique (1) comprend une première couche d'électrode (20), un unique stratifié de génération d'énergie (22) doté d'une structure de serrage constituée de silicium amorphe (a-Si) et une seconde couche d'électrode (26) composée d'aluminium et formée sur le stratifié de génération d'énergie (22), avec une couche de nickel (24) interposée entre celles-ci. Une couche de passivation (28), constituée d'un matériau contenant du cyanure de silicium est formée sur la seconde couche d'électrode (26). Un puits de chaleur (30) (constitué par exemple d'aluminium) est placé sur la couche de passivation (28) à l'aide d'une couche adhésive (29) insérée entre ceux-ci.
(JA) 本発明の課題は、放熱機構を設けた構造に適したパッシベーション層を有する光電変換装置を提供することにある、本発明の光電変換装置1は、第1の電極層20、a-Si(非晶質シリコン)によって形成されたnip構造を備えた単一の発電積層体22、及び、当該発電積層体22上に、ニッケル層24を介して成膜されたAlの第2の電極層26を有している。 第2の電極層26上にはSiCNを含む材料で構成されたパッシベーション層28が形成される。パッシベーション層28上には、接着剤層29を介してヒートシンク30(例えばAlによって形成)が取り付けられている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)