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1. (WO2011013432) 量子カスケードレーザ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/013432    国際出願番号:    PCT/JP2010/058308
国際公開日: 03.02.2011 国際出願日: 17.05.2010
IPC:
H01S 5/34 (2006.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJITA Kazuue [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMANISHI Masamichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
EDAMURA Tadataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKIKUSA Naota [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUJITA Kazuue; (JP).
YAMANISHI Masamichi; (JP).
EDAMURA Tadataka; (JP).
AKIKUSA Naota; (JP)
代理人: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2009-179531 31.07.2009 JP
発明の名称: (EN) QUANTUM CASCADE LASER
(FR) LASER À CASCADE QUANTIQUE
(JA) 量子カスケードレーザ
要約: front page image
(EN)A quantum cascade laser is configured by comprising a semiconductor substrate, and an active layer which is provided on the substrate, and which has a cascade structure in which a unit laminate (16) composed of a light emission layer (17) and an injection layer (18) is laminated in a multi-stage. The quantum cascade laser is also configured in such a manner that the unit laminate (16) has a first light emission upper level (Lup1), a second light emission upper level (Lup2) with higher energy than that of the first light emission upper level, a light emission lower level (Llow), and a relaxation level (Lr) with lower energy than that of the light emission lower level in the sub-band level structure, wherein light is generated by the transition of the electrons from the first and second upper levels to the lower level between sub-bands, and the electrons which have passed the transition between the sub-bands are relaxed from the lower level to the relaxation level, and are injected from the injection layer (18) to a light emission layer (17b) in the subsequent stage via the relaxation level. As a result, the quantum cascade laser capable of suitably obtaining light emission in a wide wavelength range is implemented.
(FR)L'invention porte sur un laser à cascade quantique dont la configuration comprend un substrat semi-conducteur, et une couche active qui est placée sur le substrat et qui présente une structure en cascade dans laquelle un stratifié unitaire (16), composé d'une couche d'émission de lumière (17) et d'une couche d'injection (18), est stratifié en plusieurs étages. Le laser à cascade quantique est également configuré de telle manière que le stratifié unitaire (16) a un premier niveau supérieur d'émission de lumière (Lup1), un second niveau supérieur d'émission de lumière (Lup2) ayant une énergie supérieure à celle du premier niveau supérieur d'émission de lumière, un niveau inférieur d'émission de lumière (Llow), et un niveau de relaxation (Lr) ayant une énergie inférieure à celle du niveau inférieur d'émission de lumière dans la structure de niveaux de sous-bande, dans laquelle de la lumière est générée par la transition des électrons des premier et second niveaux supérieurs vers le niveau inférieur entre sous-bandes, et les électrons qui ont effectué la transition entre les sous-bandes se relaxent du niveau inférieur vers le niveau de relaxation, et sont injectés par la couche d'injection (18) dans une couche électroluminescente (17b) de l'étage suivant en passant par le niveau de relaxation. En résultat, le laser à cascade quantique mis en œuvre est capable d'obtenir de façon appropriée une émission de lumière dans une large plage de longueurs d'onde.
(JA) 半導体基板と、基板上に設けられ、発光層17及び注入層18からなる単位積層体16が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。また、単位積層体16は、そのサブバンド準位構造において、第1発光上準位Lup1と、第1発光上準位よりも高エネルギーの第2発光上準位Lup2と、発光下準位Llowと、発光下準位よりも低エネルギーの緩和準位Lとを有し、第1、第2上準位から下準位への電子のサブバンド間遷移によって光が生成されるとともに、サブバンド間遷移を経た電子は、下準位から緩和準位へと緩和され、緩和準位を介して注入層18から後段の発光層17bへと注入されるように構成される。これにより、広い波長範囲での発光を好適に得ることが可能な量子カスケードレーザが実現される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)