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1. (WO2011013374) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/013374    国際出願番号:    PCT/JP2010/004803
国際公開日: 03.02.2011 国際出願日: 29.07.2010
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 5-1, Kurigi 2-chome, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAGAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITANO, Naomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUO, Kazuaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOSUDA, Motomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TATSUMI, Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAGAWA, Takashi; (JP).
KITANO, Naomu; (JP).
MATSUO, Kazuaki; (JP).
KOSUDA, Motomu; (JP).
TATSUMI, Toru; (JP)
代理人: WATANABE, Keisuke; 6th Floor, Mitsui Sumitomo Ginko Okachimachi Bldg., 11-4, Taito 4-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016 (JP)
優先権情報:
2009-176177 29.07.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device having a field-effect transistor provided with a gate electrode that comprises a metal nitride layer, wherein said gate electrode implements a desired work function. The disclosed semiconductor device is provided with a field-effect transistor on a silicon substrate, said field-effect transistor having a gate insulation film and a gate electrode provided on top of the gate insulation film. The gate insulation film has a high-permittivity insulation film comprising a metal oxide, a metal silicate, or a metal oxide or metal silicate into which nitrogen has been introduced. The gate electrode contains a metal nitride layer containing at least titanium and nitrogen. For at least the area of the metal nitride layer that is in contact with the gate insulation film, the molar ratio of nitrogen to titanium is 1.15 or greater and the film density is at least 4.7 g/cc.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur doté d'un transistor à effet de champ équipé d'une électrode de grille qui comprend une couche de nitrure de métal, laquelle électrode de grille met en œuvre un travail d'extraction souhaité. Le dispositif à semi-conducteur selon la présente invention est équipé d'un transistor à effet de champ sur un substrat de silicium, ledit transistor à effet de champ étant doté d'un film isolant de grille et d'une électrode de grille disposée au-dessus du film isolant de grille. Le film isolant de grille est pourvu d'un film isolant de permittivité élevée comprenant un oxyde métallique, un silicate de métal ou encore un oxyde métallique ou un silicate de métal dans lequel de l'azote a été introduit. L'électrode de grille contient une couche de nitrure de métal contenant au moins du titane et de l'azote. Pour au moins la zone de la couche de nitrure de métal qui est en contact avec le film isolant de grille, le rapport molaire de l'azote sur le titane est supérieur ou égal à 1,15 et la densité de film est d'au moins 4,7 g/cc.
(JA) 金属窒化物層からなるゲート電極を具備した電界効果トランジスタを有する半導体装置において、所望の仕事関数を実現するゲート電極を提供する。 シリコン基板上に、ゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有する電界効果トランジスタを備えた半導体装置において、前記ゲート絶縁膜が、金属酸化物、金属シリケート、又は窒素が導入された金属酸化物もしくは金属シリケートからなる高誘電率絶縁膜を有し、前記ゲート電極が、少なくともTiとNを含有する金属窒化物層を含むゲート電極であって、前記金属窒化物層の少なくとも前記ゲート絶縁膜と接する部分の、TiとNのモル比率(N/Ti比)が1.15以上であり、かつ膜密度が4.7g/cc以上である半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)