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1. (WO2011013306) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/013306    国際出願番号:    PCT/JP2010/004515
国際公開日: 03.02.2011 国際出願日: 12.07.2010
IPC:
H01L 21/337 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UMEDA, Hidekazu; (米国のみ).
UEDA, Tetsuzo; (米国のみ)
発明者: UMEDA, Hidekazu; .
UEDA, Tetsuzo;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2009-175621 28.07.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device which is provided with: a substrate (101); a first nitride semiconductor layer (104S), which is composed of a plurality of nitride semiconductor layers stacked on the substrate (101), and includes a channel region; a second semiconductor layer (105), which is formed on the first nitride semiconductor layer (104S), and has a conductivity type opposite to that of the channel region; a conductive layer, which is formed in contact with the second semiconductor layer (105), and is composed of a metal layer (107) or a high carrier concentration semiconductor layer having a carrier concentration of 1×1018cm-3 or higher; an insulator layer (110) formed on the conductive layer; a gate electrode (111) formed on the insulator layer (110); and a source electrode (108) and a drain electrode (109) which are formed on both the sides of the second semiconductor layer (105).
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui est équipé : d'un substrat (101) ; d'une première couche semi-conductrice de nitrure (104S), qui est constituée d'une pluralité de couches semi-conductrices de nitrure superposées sur le substrat (101) et qui inclut une zone de canal ; d'une seconde couche semi-conductrice (105), qui est formée sur la première couche semi-conductrice de nitrure (104S) et qui a un type de conductivité opposé à celui de la zone de canal ; d'une couche conductrice, qui est formée de manière à être en contact avec la seconde couche semi-conductrice (105) et qui est constituée d'une couche de métal (107) ou d'une couche semi-conductrice à concentration de porteurs de charge élevée ayant une concentration de porteurs de charge supérieure ou égale à 1×1018 cm-3 ; d'une couche d'isolant (110) formée sur la couche conductrice ; d'une électrode de grille (111) formée sur la couche d'isolant (110) ; et d'une électrode de source (108) ainsi que d'une électrode de drain (109) qui sont formées des deux côtés de la seconde couche semi-conductrice (105).
(JA) 半導体装置は、基板101と、基板101の上に積層された複数の窒化物半導体層からなり、且つチャネル領域を含む第1の窒化物半導体層104Sと、第1の窒化物半導体層104Sの上に形成され、チャネル領域と逆導電型の第2の半導体層105と、第2の半導体層105に接するように形成され、金属層107又はキャリア濃度が1×1018cm-3以上の高キャリア濃度半導体層からなる導電層と、導電層の上に形成された絶縁体層110と、絶縁体層110の上に形成されたゲート電極111と、第2の半導体層105の両側方に形成されたソース電極108及びドレイン電極109とを備えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)