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1. (WO2011013290) 半導体装置の製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/013290    国際出願番号:    PCT/JP2010/003994
国際公開日: 03.02.2011 国際出願日: 16.06.2010
H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAGOYA, Takatoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAMIZAWA, Shoichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAYAMA, Ryuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAGOYA, Takatoshi; (JP).
TAKAMIZAWA, Shoichi; (JP).
SAYAMA, Ryuji; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
2009-178242 30.07.2009 JP
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which has: a step of epitaxially growing an N-type epitaxial layer, which is to be an etch stop layer and has an N-type conductivity, and a semiconductor epitaxial layer for forming a semiconductor element in this order on one main surface of a silicon single crystal substrate having a P-type conductivity; a step of forming the semiconductor element on the semiconductor epitaxial layer for forming the semiconductor element; a step of bonding a retaining substrate on the surface having the semiconductor element formed thereon; and a step of removing the P-type silicon single crystal substrate by electrochemical etching with the N-type epitaxial layer as the etch stop layer, by applying a positive voltage to the N-type epitaxial layer. Thus, the thickness of the semiconductor epitaxial layer to be an active region in a back-illuminated image pickup element and the like can be easily managed to be a desired thickness without using an SOI substrate, and gettering of contaminating impurities can be smoothly performed.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, ledit procédé comprenant les étapes consistant à : réaliser une croissance épitaxiale d'une couche épitaxiale de type N destinée à servir de couche d'arrêt d'attaque chimique et présentant une conductivité de type N, et une couche épitaxiale semi-conductrice permettant de former un élément semi-conducteur dans cet ordre sur la surface principale d'un substrat de silicium monocristallin ayant une conductivité de type P ; former l'élément semi-conducteur sur la couche épitaxiale semi-conductrice afin de former l'élément semi-conducteur ; lier un substrat de retenue sur la surface sur laquelle est formé l'élément semi-conducteur ; et supprimer le substrat monocristallin de silicium de type P par attaque électrochimique avec la couche épitaxiale de type N utilisée en tant que couche d'arrêt d'attaque chimique, en appliquant une tension positive à la couche épitaxiale de type N. De la sorte, l'épaisseur de la couche épitaxiale semi-conductrice destinée à servir de zone active dans un élément analyseur d'images rétro-éclairé et similaire peut être facilement gérée de manière à correspondre à une épaisseur souhaitée sans utiliser de substrat de silicium sur isolant, et l'absorption des gaz des impuretés contaminantes peut être réalisée de façon régulière.
(JA) 本発明は、導電型がP型のシリコン単結晶基板の一方の主表面に、エッチストップ層となる導電型がN型のN型エピタキシャル層と、半導体素子を形成するための半導体エピタキシャル層とをこの順にエピタキシャル成長させる工程と、前記半導体素子を形成するための半導体エピタキシャル層に前記半導体素子を形成する工程と、該半導体素子が形成された表面に保持基板を貼り合わせる工程と、前記N型エピタキシャル層に正電圧を印加して、該N型エピタキシャル層をエッチストップ層として電気化学的エッチングにより前記P型シリコン単結晶基板を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法である。これによって、SOI基板を用いずに、裏面照射型の撮像素子等を、活性領域となる半導体エピタキシャル層の厚さを所望の厚さに容易に管理することができ、かつ、汚染不純物のゲッタリングを円滑に行うことができる半導体装置の製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)