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1. (WO2011013255) 不揮発性記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2011/013255    国際出願番号:    PCT/JP2009/063702
国際公開日: 03.02.2011 国際出願日: 31.07.2009
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHINGU, Masao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKASHIMA, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURAOKA, Koichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHINGU, Masao; (JP).
TAKASHIMA, Akira; (JP).
MURAOKA, Koichi; (JP)
代理人: HYUGAJI, Masahiko; Kannai ST Bldg., 4-1, Onoe-cho 1-chome, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310015 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) NONVOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶装置
要約: front page image
(EN)Provided is a nonvolatile storage device characterized by being provided with a storage unit comprising a first insulating layer (10), a second insulating layer (20) which is formed in contact with the first insulating layer (10) after the first insulating layer (10) is formed and differs from the first insulating layer (10) in at least either composition or phase state, and a pair of electrodes (41, 42) in a boundary portion (15) between the first insulating layer (10) and the second insulating layer (20), which enables the passage of an electric current along the boundary portion (15), wherein the electric resistance of a current path (16) through which the electric current is passed changes by the voltage applied between the pair of electrodes.  Thus, the resistance change nonvolatile storage device with a stable characteristic in which the position and shape of the current path are precisely controlled can be provided.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif de mémoire non volatile caractérisé en ce qu'il est doté d'une unité de mémoire comprenant une première couche isolante (10) et une seconde couche isolante (20) qui est formée en contact avec la première couche isolante (10) après que la première couche isolante (10) a été formée et qui diffère de la première couche isolante (10) au moins en termes de composition ou d'état de phase. Ledit dispositif comprend en outre une paire d'électrodes (41, 42) dans une partie frontière (15) entre la première couche isolante (10) et la seconde couche isolante (20), qui permet le passage d'un courant électrique le long de la partie frontière (15). La résistance électrique d'un cheminement (16) à travers lequel passe le courant électrique, change en fonction de la tension appliquée entre la paire d'électrodes. Il est possible d'obtenir un dispositif de mémoire non volatile doté d'un changement de résistance avec une caractéristique stable où la position et la forme du cheminement sont contrôlées de manière précise.
(JA) 第1絶縁層10と、第1絶縁層10が形成された後に第1絶縁層10に接して形成され、第1絶縁層10とは組成及び相状態の少なくともいずれかが異なる第2絶縁層20と、第1絶縁層10と第2絶縁層20との境界部15に、境界部15に沿って電流を通電可能とする一対の電極41、42と、を有する記憶部を備え、前記電流が通電される電流経路16の電気抵抗は、前記一対の電極の間に印加される電圧によって変化することを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。電流経路の位置及び形状を精度良く制御し、特性の安定した抵抗変化型の不揮発性記憶装置が提供できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)