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1. (WO2010134639) レジストパターンの形成方法および現像液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/134639    国際出願番号:    PCT/JP2010/058939
国際公開日: 25.11.2010 国際出願日: 20.05.2010
IPC:
G03F 7/32 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/38 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, YAMAGUCHI 7450053 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TONO Seiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
CHIKASHIGE Yuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TONO Seiji; (JP).
CHIKASHIGE Yuki; (JP)
代理人: OHSHIMA Masataka; OHSHIMA PATENT OFFICE, BN Gyoen Building, 17-11, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2009-122707 21.05.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMATION OF RESIST PATTERN, AND DEVELOPING SOLUTION
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE, ET SOLUTION DE RÉVÉLATION
(JA) レジストパターンの形成方法および現像液
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a resist pattern, which comprise: a resist film formation step of forming a resist film containing a specific calixarene derivative on a substrate; a latent image formation step of exposing the resist film to a high-energy ray selectively to form a latent image of a pattern; and a developing step of removing a part of the resist film which has not been exposed to the high-energy ray with a developing solution containing at least one fluorinated solvent selected from the group consisting of a fluorinated alkyl ether and a fluorinated alcohol to develop the latent image. Also disclosed is use of the fluorinated solvent as a developing solution for resists.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un motif de réserve. Ledit procédé comprend une étape de formation d'un film de réserve consistant à former un film de réserve contenant un dérivé spécifique du calixarène sur un substrat ; une étape de formation d'images latentes consistant à exposer le film de réserve à un rayon haute énergie de façon sélective pour former une image latente d'un motif ; et une étape de révélation consistant à enlever une partie du film de réserve qui n'a pas été exposée au rayon haute énergie avec une solution de révélation contenant au moins un solvant fluoré choisi dans le groupe consistant en éther d'alkyle fluoré et alcool fluoré afin de révéler l'image latente. L'invention concerne également l'utilisation du solvant fluoré en tant que solution de révélation pour des réserves.
(JA)特定のカリックスアレーン誘導体を含むレジスト膜を基板上に形成するレジスト膜形成工程、前記レジスト膜に高エネルギー線を選択的に露光させ、パターンの潜像を形成する潜像形成工程、及び前記高エネルギー線に露光させていないレジスト膜の部分を、含フッ素アルキルエーテル、及び含フッ素アルコールからなる群より選ばれる少なくとも1種の含フッ素溶剤を含む現像液で除去することにより前記潜像を現像する現像工程を含むレジストパターンの形成方法および上記含フッ素溶剤をレジスト用現像液として提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)