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1. (WO2010134544) シリコン製造装置及びシリコン製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/134544    国際出願番号:    PCT/JP2010/058446
国際公開日: 25.11.2010 国際出願日: 19.05.2010
IPC:
C01B 33/033 (2006.01)
出願人: Asahi Glass Company, Limited. [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Kinotech Solar Energy Corporation [JP/JP]; 1st Floor, Kawasaki Tech Center, 580-16, Horikawa-cho,Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2120013 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAHARA, Katsumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAKI, Daisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAHARA, Katsumasa; (JP).
SAKAKI, Daisuke; (JP)
代理人: KAWAMOTO, Manabu; OWA PATENT FIRM, Tokyo Office, 3rd Floor, Sankyo Building, 2-1-2, Koishikawa, Bunkyo-ku, Tokyo 1120002 (JP)
優先権情報:
2009-124199 22.05.2009 JP
発明の名称: (EN) DEVICE FOR PRODUCING SILICON AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON
(FR) DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM
(JA) シリコン製造装置及びシリコン製造方法
要約: front page image
(EN)A zinc gas feed port (18b, 180b, 181b, 182b, 183b, 184b, 185b, 280a) is located above a silicon tetrachloride gas feed port (16a, 160a). While regulating the temperature of some of the reaction vessel (10, 100) with a heater (22) to a temperature in the range where silicon deposition occurs, silicon tetrachloride gas is fed to the reaction vessel through the silicon tetrachloride gas feed port and zinc gas is fed to the reaction vessel through the zinc gas feed port. The silicon tetrachloride is reduced with the zinc within the reaction vessel to form a silicon deposition region (S), which has a silicon deposit, on the part of the inner wall of the reaction vessel that corresponds to the region regulated so as to be in the silicon deposition temperature range.
(FR)Un orifice d'alimentation en zinc gazeux (18b, 180b, 181b, 182b, 183b, 184b, 185b, 280a) est situé au-dessus d'un orifice d'alimentation en tétrachlorure de silicium gazeux (16a, 160a). Pendant la régulation de la température d'une partie du récipient réactionnel (10, 100) au moyen d'un réchauffeur (22) à une température comprise dans la gamme dans laquelle un dépôt de silicium se produit, du tétrachlorure de silicium gazeux est introduit dans le récipient réactionnel par l'orifice d'alimentation en tétrachlorure de silicium gazeux et du zinc gazeux est introduit dans le récipient réactionnel par l'orifice d'alimentation en zinc gazeux. Le tétrachlorure de silicium est réduit par le zinc au sein du récipient réactionnel pour former une région de dépôt de silicium (S), qui possède un dépôt de silicium, sur la partie de la paroi interne du récipient réactionnel qui correspond à la région régulée de sorte à être dans la gamme de température du dépôt de silicium.
(JA) 亜鉛ガス供給口(18b、180b、181b、182b、183b、184b、185b、280a)が、四塩化珪素ガス供給口(16a、160a)よりも上方にあり、加熱器(22)で、反応器(10、100)の一部の温度をシリコンの析出温度範囲に設定しつつ、四塩化珪素ガス供給口から四塩化珪素ガスを反応器内に供給し、亜鉛ガス供給口から亜鉛ガスを反応容器内に供給して、反応器内で四塩化珪素を亜鉛で還元して、反応器内においてシリコンの析出温度範囲に設定された領域に対応した壁部にシリコンが析出したシリコン析出領域(S)を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)