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1. WO2010134426 - 半導体レーザ

公開番号 WO/2010/134426
公開日 25.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/057752
国際出願日 06.05.2010
予備審査請求日 31.08.2010
IPC
H01S 5/343 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ,多重量子井戸型レーザ,傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ[7]
343A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
H01S 5/22 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
20半導体本体の光を導波する構造または形状
22リッジまたはストライプ構造を有するもの
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01S 2301/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
18Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
H01S 5/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
22having a ridge or stripe structure
H01S 5/3211
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
3211characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
H01S 5/3412
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
341Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
3412quantum box or quantum dash
出願人
  • 株式会社QDレーザ QD LASER INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 前多泰成 MAEDA, Yasunari [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 持田励雄 MOCHIDA, Reio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 田中有 TANAKA, Yu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 西研一 NISHI, Kenichi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 前多泰成 MAEDA, Yasunari
  • 持田励雄 MOCHIDA, Reio
  • 田中有 TANAKA, Yu
  • 西研一 NISHI, Kenichi
代理人
  • 片山修平 KATAYAMA, Shuhei
優先権情報
2009-12129119.05.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ
要約
(EN)
Disclosed is a semiconductor laser provided with: a lower cladding layer (14) which has a first conductivity type and is an AlGaAs layer; an active layer (18) which is provided on the lower cladding layer (14) and comprises a plurality of quantum dots; and an upper cladding layer (22) which has a second conductivity type the opposite of the first conductivity type and which comprises a first AlGaAs layer (74), second AlGaAs layer (76), and third AlGaAs layer (78) stacked in that order on the active layer (18). The second AlGaAs layer (76) and third AlGaAs layer (78) form an independent ridge section (26), and the first AlGaAs layer (74) remains at the two sides of the ridge section (26). The Al composition ratio at the second AlGaAs layer (76) is larger than the Al composition ratio at the first AlGaAs layer (74) and at the third AlGaAs layer (78).
(FR)
L'invention porte sur un laser semi-conducteur qui comporte : une couche de gaine inférieure (14) qui a un premier type de conductivité et est une couche AlGaAs ; une couche active (18) qui est disposée sur la couche de gaine inférieure (14) et comprend une pluralité de points quantiques ; une couche de gaine supérieure (22) qui a un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité et qui comprend une première couche AlGaAs (74), une deuxième couche AlGaAs (76) et une troisième couche AlGaAs (78) empilées dans cet ordre sur la couche active (18). La deuxième couche AlGaAs (76) et la troisième couche AlGaAs (78) forment une section d'arête indépendante (26), et la première couche de AlGaAs (74) reste au niveau des deux côtés de la section d'arête (26). Le rapport de composition d'Al de la deuxième couche d'AlGaAs (76) est plus important que le rapport de composition d'Al au niveau de la première couche d'AlGaAs (74) et au niveau de la troisième couche AlGaAs (78).
(JA)
 本発明は、第1導電型を有し、AlGaAs層である下部クラッド層14と、下部クラッド層14上に設けられ、複数の量子ドットを有する活性層18と、活性層18上に順次設けられた第1AlGaAs層74と第2AlGaAs層76と第3AlGaAs層78とを有し、第2AlGaAs層76と第3AlGaAs層78とは孤立したリッジ部26を形成し、リッジ部26の両側には第1AlGaAs層74が残存する、第1導電型と反対の導電型の第2導電型である上部クラッド層22と、を具備し、第2AlGaAs層76のAl組成比は、第1AlGaAs層74及び第3AlGaAs層78のAl組成比よりも大きい半導体レーザである。
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