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1. WO2010134371 - 電子部品素子

公開番号 WO/2010/134371
公開日 25.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/053414
国際出願日 03.03.2010
IPC
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 23/52 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/14 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
14エレクトロルミネッセンス材料の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
H05B 33/26 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
26電極として使用される導電物質の配置あるいは組成によって特徴づけられたもの
CPC
H01L 2924/01004
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01004Beryllium [Be]
H01L 2924/01006
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01006Carbon [C]
H01L 2924/01013
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01013Aluminum [Al]
H01L 2924/01014
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01014Silicon [Si]
H01L 2924/01023
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01023Vanadium [V]
H01L 2924/01024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
01Chemical elements
01024Chromium [Cr]
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 小川 倉一 OGAWA, Soichi (UsOnly)
  • 茅野 真吾 KAYANO, Shingo (UsOnly)
  • 平井 正明 HIRAI, Masaaki (UsOnly)
  • 小高 秀文 KODAKA, Hidefumi (UsOnly)
発明者
  • 小川 倉一 OGAWA, Soichi
  • 茅野 真吾 KAYANO, Shingo
  • 平井 正明 HIRAI, Masaaki
  • 小高 秀文 KODAKA, Hidefumi
代理人
  • 特許業務法人あーく特許事務所 ARC PATENT ATTORNEYS' OFFICE
優先権情報
2009-12120419.05.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELECTRONIC COMPONENT ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子部品素子
要約
(EN)
In an electronic component element, a metal film group comprised of at least three layers on a substrate is formed. This metal film group is comprised of at least a metal film, a protective film which protects the metal film, and an adjustment film which eliminates the potential difference between the metal film and protective film. In this electronic component element, the metal film, adjustment film, and protective film are stacked in this order on the substrate.
(FR)
Un groupe de films métalliques constitué d'au moins trois couches sur un substrat est formé dans un élément de composant électronique selon la présente invention. Ce groupe de films métalliques est constitué d'au moins un film métallique, d'un film de protection qui protège le film métallique et d'un film d'ajustement qui supprime la différence de potentiel entre le film métallique et le film de protection. Dans cet élément de composant électronique, le film métallique, le film d'ajustement et le film de protection sont superposés dans cet ordre sur le substrat.
(JA)
 電子部品素子では、基板上に少なくとも3層からなる金属膜群が形成されている。この金属膜群は、少なくとも、金属膜と、金属膜を保護する保護膜と、金属膜と保護膜との電位差を無くす調整膜とから構成されている。この電子部品素子では、基板上に、金属膜、調整膜、および保護膜の順に積層されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報