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1. (WO2010134346) 成膜方法及び成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/134346    国際出願番号:    PCT/JP2010/003406
国際公開日: 25.11.2010 国際出願日: 20.05.2010
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/38 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
出願人: ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORIMOTO, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAMAGUCHI, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HORITA, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEDA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORIMOTO, Naoki; (JP).
HAMAGUCHI, Junichi; (JP).
HORITA, Kazumasa; (JP).
TAKEDA, Naoki; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
優先権情報:
2009-121894 20.05.2009 JP
発明の名称: (EN) FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ FILMOGÈNE ET APPAREIL FILMOGÈNE
(JA) 成膜方法及び成膜装置
要約: front page image
(EN)Provided is a film-forming method for forming a film on the surface of a subject to be processed. A target, i.e., the base material of the film, and the subject to be processed are disposed to face each other in a chamber, and while generating a magnetic field wherein perpendicular magnetic lines locally pass at predetermined intervals from the sputter surface of the target to the film-forming surface of the subject to be processed, a sputter gas is introduced into the chamber. The gas pressure in the chamber is controlled within the range of 0.3-10.0 Pa, plasma is generated in the space between the target and the subject to be processed by applying a negative direct-current voltage to the target, and while controlling the flying direction of the sputter particles generated by sputtering the target, the sputter particles are led to the subject to be processed and deposited thereon, and the film is formed.
(FR)La présente invention concerne un procédé filmogène permettant de former un film sur la surface d'un objet devant être traité. Une cible, autrement dit le matériau de base du film, et l'objet devant être traité sont placés l'un en face de l'autre dans une chambre et, lorsqu'il est produit un champ magnétique dans lequel des lignes magnétiques perpendiculaires passent localement, à des intervalles prédéfinis, de la surface de pulvérisation de la cible à la surface filmogène de l'objet devant être traité, un gaz de pulvérisation est introduit dans la chambre. La pression du gaz dans la chambre est régulée à l'intérieur de la plage de 0,3 à 10,0 Pa, il est produit du plasma dans l'espace entre la cible et l'objet devant être traité en appliquant une tension négative en courant continu à la cible et en commandant la direction du vol des particules de pulvérisation produites en pulvérisant la cible, les particules de pulvérisation sont dirigées vers l'objet devant être traité et déposées sur celui-ci, ce qui forme le film.
(JA) 被処理体の表面に被膜を形成する成膜方法であって、チャンバ内に、前記被膜の母材をなすターゲットと、前記被処理体とを対向配置し、前記ターゲットのスパッタ面から前記被処理体の被成膜面に向けて、所定の間隔で垂直な磁力線が局所的に通る磁場を発生させつつ、前記チャンバ内にスパッタガスを導入して、前記チャンバ内におけるガス圧を0.3Pa以上10.0Pa以下の範囲に制御するとともに、前記ターゲットに負の直流電圧を印加することにより、前記ターゲットと前記被処理体との間の空間にプラズマを発生させ、前記ターゲットをスパッタリングすることにより生じたスパッタ粒子の飛翔方向を制御しながら、前記スパッタ粒子を前記被処理体へ誘導して堆積させて、前記被膜を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)