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1. (WO2010134334) 半導体基板、電子デバイス、半導体基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/134334    国際出願番号:    PCT/JP2010/003371
国際公開日: 25.11.2010 国際出願日: 19.05.2010
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/8222 (2006.01), H01L 21/8232 (2006.01), H01L 21/8248 (2006.01), H01L 21/8249 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/082 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H01L 33/34 (2010.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMANAKA, Sadanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUHARA, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMANAKA, Sadanori; (JP).
HATA, Masahiko; (JP).
FUKUHARA, Noboru; (JP)
代理人: RYUKA IP Law Firm; 22F, Shinjuku L Tower, 6-1, Nishi-Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
優先権情報:
2009-124656 22.05.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, ELECTRONIC DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体基板、電子デバイス、半導体基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor substrate comprising: a base substrate having an impurity region having impurity atoms doped into silicon; a plurality of seed bodies provided in contact with the impurity region; and a plurality of compound semiconductors provided in contact with the respective seed bodies and lattice-matched or psedo-lattice matched with the respective seed bodies. The semiconductor substrate may further comprise a blocking body provided on the base substrate and having a plurality of openings for exposing at least part of the impurity region.
(FR)La présente invention a trait à un substrat semi-conducteur comprenant : un substrat de base pourvu d'une région d'impureté dotée d'atomes d'impureté dopés dans du silicium; une pluralité de corps de germe disposés de manière à être en contact avec la région d'impureté; et une pluralité de semi-conducteurs composés disposés de manière à être en contact avec les corps de germe respectifs et adaptés en termes de réseau ou adaptés en termes de pseudo réseau avec les corps de germe respectifs. Le substrat semi-conducteur peut en outre comprendre un corps de blocage disposé sur le substrat de base et doté d'une pluralité d'ouvertures permettant d'exposer au moins une partie de la région d'impureté.
(JA) シリコンに不純物原子が導入された不純物領域を有するベース基板と、不純物領域に接して設けられている複数のシード体と、複数のシード体の各々に接して設けられ、複数のシード体の各々とそれぞれ格子整合または擬格子整合する複数の化合物半導体とを備える半導体基板を提供する。当該半導体基板は、ベース基板上に設けられ、不純物領域の少なくとも一部を露出する複数の開口が設けられた阻害体をさらに備えてもよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)