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1. (WO2010134234) フレキシブル半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/134234    国際出願番号:    PCT/JP2010/000715
国際公開日: 25.11.2010 国際出願日: 05.02.2010
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ICHIRYU, Takashi; (米国のみ).
NAKATANI, Seiichi; (米国のみ).
HIRANO, Koichi; (米国のみ)
発明者: ICHIRYU, Takashi; .
NAKATANI, Seiichi; .
HIRANO, Koichi;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2009-120665 19.05.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF PRODUCING FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SOUPLE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) フレキシブル半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method of producing a flexible semiconductor device, including a step of preparing a multilayer film (80) comprised of a first metal layer (10), an inorganic insulating layer (20), a semiconductor layer (30), and a second metal layer (40) stacked together ; a step of etching the second metal layer (40) to form a source electrode (42s) and drain electrode (42d) comprised of the second metal layer (40); a step of press bonding a resin layer (50) to the surface of the multilayer film (80) on which the source electrode (42s) and drain electrode (42d) are formed, so as to embed the source electrode (42s) and drain electrode (42d) in the resin layer (50); and a step of etching the first metal layer (10) to form a gate electrode (10g) comprised of the first metal layer (10); wherein the inorganic insulating layer (20g) functions as a gate insulating film and the semiconductor layer (30) functions as a channel.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif souple à semi-conducteur, comportant une étape de préparation d'un film multicouche (80) composé d'une première couche métallique (10), d'une couche isolante inorganique (20), d'une couche semi-conductrice (30) et d'une seconde couche métallique (40) empilées les unes sur les autres, une étape de gravure de la seconde couche métallique (40) afin de former une électrode source (42s) et une électrode drain (42d) composée de la seconde couche métallique (40), une étape de liaison par pression d'une couche de résine (50) à la surface du film multicouche (80) sur lequel l'électrode source (42s) et l'électrode drain (42d) sont formées (42d) dans la couche de résine (50), et une étape de gravure de la première couche métallique (10) afin de former une électrode de grille (10g) composée de la première couche métallique (10) ; la couche isolante inorganique (20g) fonctionne en tant que film isolant de grille et la couche semi-conductrice (30) fonctionne en tant que canal.
(JA) 第1金属層10、無機絶縁層20、半導体層30、第2金属層40が積層された積層膜80を用意する工程と、第2金属層40をエッチングして第2金属層40からなるソース電極42s及びドレイン電極42dを形成する工程と、積層膜80のうち、ソース電極42s及びドレイン電極42dが形成された面に樹脂層50を圧着して、樹脂層50にソース電極42s及びドレイン電極42dを埋設する工程と、第1金属層10をエッチングして第1金属層10からなるゲート電極10gを形成する工程とを含み、無機絶縁層20gはゲート絶縁膜として機能し、半導体層30はチャネルとして機能する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)