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1. (WO2010131639) 半導体装置およびその製造方法並びに太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131639    国際出願番号:    PCT/JP2010/057936
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 11.05.2010
IPC:
H01L 31/042 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: UNIVERSITY OF TSUKUBA [JP/JP]; 1-1-1, Tennodai, Tsukuba-shi, Ibaraki 3058577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUEMASU, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USAMI, Noritaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUEMASU, Takashi; (JP).
USAMI, Noritaka; (JP)
代理人: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building, 6-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2009-115337 12.05.2009 JP
2009-185666 10.08.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SOLAR CELL
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 半導体装置およびその製造方法並びに太陽電池
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device that includes: a silicon layer (12); a middle silicide layer (28) that is provided on top of the aforementioned silicon layer (12), has an opening, and contains barium silicide; and an upper silicide layer (14) that covers the middle silicide layer (28), contacts the silicon layer (12) through the aforementioned opening, contains barium silicide, and has a higher dopant concentration than the middle silicide layer (28).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant : une couche de silicium (12) ; une couche de siliciure intermédiaire (28) qui est produite sur le dessus de la couche de silicium susmentionnée (12), comporte une ouverture, et contient du siliciure de baryum ; et une couche supérieure de siliciure (14) qui recouvre la couche de siliciure intermédiaire (28), entre en contact avec la couche de silicium (12) à travers l'ouverture susmentionnée, contient du siliciure de baryum, et présente une concentration en dopant supérieure à celle de la couche de siliciure intermédiaire (28).
(JA)シリコン層12と、前記シリコン層12上に設けられ、開口を有し、バリウムシリサイドを含む中間シリサイド層28と、中間シリサイド層28を覆い、前記開口を介しシリコン層12に接するように設けられ、前記中間シリサイド層28よりドーパント濃度が高くバリウムシリサイドを含む上部シリサイド層14と、を含む半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)