WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010131573) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131573    国際出願番号:    PCT/JP2010/057445
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 27.04.2010
予備審査請求日:    04.03.2011    
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WADA, Keiji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONAGA, Misako [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIGUCHI, Taro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SASAKI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIWARA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAMIKAWA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WADA, Keiji; (JP).
HARADA, Shin; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP).
HONAGA, Misako; (JP).
NISHIGUCHI, Taro; (JP).
SASAKI, Makoto; (JP).
FUJIWARA, Shinsuke; (JP).
NAMIKAWA, Yasuo; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, p.c., Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2009-114737 11.05.2009 JP
2009-219065 24.09.2009 JP
2009-229764 01.10.2009 JP
2009-248621 29.10.2009 JP
発明の名称: (EN) INSULATING GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE DE TYPE À GRILLE ISOLANTE (IGBT)
(JA) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is an IGBT (100) which is a vertical IGBT wherein on-resistance is reduced, while suppressing generation of defects. The IGBT is provided with a silicon carbide substrate (1), a drift layer (3), a well region (4), an n+ region (5), an emitter contact electrode (92), a gate oxide film (91), a gate electrode (93), and a collector electrode (96). The silicon carbide substrate (1) includes a base layer (10), which is composed of silicon carbide and has p-type conductivity, and a SiC layer (20), which is composed of single crystal silicon carbide and is disposed on the base layer (10). The p-type impurity concentration of the base layer (10) exceeds 1×1018 cm-3.
(FR)La présente invention concerne un IGBT (100) qui est un IGBT vertical dont la résistance à l'état passant est réduite en éliminant la production de défauts. L'IGBT comporte un substrat de carbure de silicium (1), une couche flottante (3), une région de puits (4), une région n (5), une électrode de contact émettrice (92), un film d'oxyde de grille (91), une électrode de grille (93), et une électrode collectrice (96). Le substrat de carbure de silicium (1) comprend une couche de base (10), qui est composée de carbure de silicium et a une conductivité de type p, et une couche SiC (20), qui est composée de carbure de silicium à un seul cristal et est disposée sur la couche de base (10). La concentration en impuretés de type p de la couche de base (10) dépasse 1×1018 cm-3.
(JA) 欠陥の発生を抑制しつつ、オン抵抗の低減が達成可能な縦型IGBTであるIGBT(100)は、炭化珪素基板(1)と、ドリフト層(3)と、ウェル領域(4)と、n+領域(5)と、エミッタコンタクト電極(92)と、ゲート酸化膜(91)と、ゲート電極(93)と、コレクタ電極(96)とを備えている。炭化珪素基板(1)は、炭化珪素からなり、導電型がp型であるベース層(10)と、単結晶炭化珪素からなり、ベース層(10)上に配置されたSiC層(20)とを含み、ベース層(10)のp型不純物濃度は1×1018cm-3を超えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)