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1. (WO2010131570) 炭化珪素基板および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131570    国際出願番号:    PCT/JP2010/057442
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 27.04.2010
予備審査請求日:    24.02.2011    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SASAKI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIGUCHI, Taro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAMIKAWA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIWARA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HARADA, Shin; (JP).
SASAKI, Makoto; (JP).
NISHIGUCHI, Taro; (JP).
NAMIKAWA, Yasuo; (JP).
FUJIWARA, Shinsuke; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, p.c., Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2009-114737 11.05.2009 JP
2009-219065 24.09.2009 JP
2009-229764 01.10.2009 JP
2009-248621 29.10.2009 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 炭化珪素基板および半導体装置
要約: front page image
(EN)Provided is a silicon carbide substrate (1) which has a reduced resistivity in the thickness direction, while suppressing generation of lamination defects due to heat treatment. The silicon carbide substrate is provided with: a base layer (10) composed of a silicon carbide; and a SiC layer (20), which is composed of a single crystal silicon carbide and is disposed on one main surface (10A) of the base layer (10). The impurity concentration of the base layer (10) is higher than 2×1019 cm-3. The impurity concentration of the SiC layer (20) is higher than 5×1018 cm-3 but lower than 2×1019 cm-3.
(FR)L'invention propose un substrat (1) de carbure de silicium à résistivité réduite dans le sens de son épaisseur et qui inhibe l'apparition de défauts de lamination suite à un traitement thermique. Le substrat de carbure de silicium est doté d'une couche de base (10) constituée d'un carbure de silicium et d'une couche de SiC (20) constituée d'un monocristal de carbure de silicium et disposée sur une surface principale (10A) de la couche de base (10). La concentration en impuretés de la couche de base (10) est supérieure à 2×1019 cm-3. La concentration en impuretés de la couche de SiC (20) est supérieure à 5×1018 cm-3 mais inférieure à 2×1019 cm-3.
(JA) 熱処理による積層欠陥の発生を抑制しつつ、厚み方向の抵抗率を低減することが可能な炭化珪素基板(1)は、炭化珪素からなるベース層(10)と、単結晶炭化珪素からなり、上記ベース層(10)の一方の主面(10A)上に配置されたSiC層(20)とを備えている。ベース層(10)の不純物濃度は2×1019cm-3よりも大きい。そして、SiC層(20)の不純物濃度は5×1018cm-3よりも大きく2×1019cm-3よりも小さい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)