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1. WO2010131570 - 炭化珪素基板および半導体装置

公開番号 WO/2010/131570
公開日 18.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/057442
国際出願日 27.04.2010
予備審査請求日 24.02.2011
IPC
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
CPC
C30B 23/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
C30B 33/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
06Joining of crystals
H01L 21/02378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02378Silicon carbide
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
H01L 21/2007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
2003Characterised by the substrate
2007Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
出願人
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 原田 真 HARADA, Shin [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 佐々木 信 SASAKI, Makoto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 西口 太郎 NISHIGUCHI, Taro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 並川 靖生 NAMIKAWA, Yasuo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤原 伸介 FUJIWARA, Shinsuke [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 原田 真 HARADA, Shin
  • 佐々木 信 SASAKI, Makoto
  • 西口 太郎 NISHIGUCHI, Taro
  • 並川 靖生 NAMIKAWA, Yasuo
  • 藤原 伸介 FUJIWARA, Shinsuke
代理人
  • 深見 久郎 FUKAMI, Hisao
優先権情報
2009-11473711.05.2009JP
2009-21906524.09.2009JP
2009-22976401.10.2009JP
2009-24862129.10.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 炭化珪素基板および半導体装置
要約
(EN)
Provided is a silicon carbide substrate (1) which has a reduced resistivity in the thickness direction, while suppressing generation of lamination defects due to heat treatment. The silicon carbide substrate is provided with: a base layer (10) composed of a silicon carbide; and a SiC layer (20), which is composed of a single crystal silicon carbide and is disposed on one main surface (10A) of the base layer (10). The impurity concentration of the base layer (10) is higher than 2×1019 cm-3. The impurity concentration of the SiC layer (20) is higher than 5×1018 cm-3 but lower than 2×1019 cm-3.
(FR)
L'invention propose un substrat (1) de carbure de silicium à résistivité réduite dans le sens de son épaisseur et qui inhibe l'apparition de défauts de lamination suite à un traitement thermique. Le substrat de carbure de silicium est doté d'une couche de base (10) constituée d'un carbure de silicium et d'une couche de SiC (20) constituée d'un monocristal de carbure de silicium et disposée sur une surface principale (10A) de la couche de base (10). La concentration en impuretés de la couche de base (10) est supérieure à 2×1019 cm-3. La concentration en impuretés de la couche de SiC (20) est supérieure à 5×1018 cm-3 mais inférieure à 2×1019 cm-3.
(JA)
 熱処理による積層欠陥の発生を抑制しつつ、厚み方向の抵抗率を低減することが可能な炭化珪素基板(1)は、炭化珪素からなるベース層(10)と、単結晶炭化珪素からなり、上記ベース層(10)の一方の主面(10A)上に配置されたSiC層(20)とを備えている。ベース層(10)の不純物濃度は2×1019cm-3よりも大きい。そして、SiC層(20)の不純物濃度は5×1018cm-3よりも大きく2×1019cm-3よりも小さい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報