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1. WO2010131521 - 回転マグネットスパッタ装置

公開番号 WO/2010/131521
公開日 18.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/054867
国際出願日 19.03.2010
IPC
C23C 14/35 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
35磁界の適用によるもの,例.マグネトロンスパッタリング
CPC
C23C 14/35
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
H01J 37/3405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3402using supplementary magnetic fields
3405Magnetron sputtering
H01J 37/3497
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3488Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
3497Temperature of target
出願人
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 大見 忠弘 OHMI, Tadahiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 後藤 哲也 GOTO, Tetsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松岡 孝明 MATSUOKA, Takaaki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 大見 忠弘 OHMI, Tadahiro
  • 後藤 哲也 GOTO, Tetsuya
  • 松岡 孝明 MATSUOKA, Takaaki
代理人
  • 池田 憲保 IKEDA, Noriyasu
優先権情報
2009-11816915.05.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ROTATING MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
(FR) APPAREIL ROTATIF DE PULVERISATION PAR MAGNETRON
(JA) 回転マグネットスパッタ装置
要約
(EN)
Provided is a rotating magnetron sputtering apparatus wherein adverse effects on a target part and the like due to heating with the increase of plasma excitation power are reduced. The rotating magnetron sputtering apparatus has a structure wherein heat is removed from the target part by having a cooling medium flow in a spiral space formed among a plurality of spiral plate magnet groups or by providing a cooling channel on a backing plate which supports the target part.
(FR)
L'invention concerne un appareil rotatif de pulvérisation par magnétron permettant de réduire les effets négatifs sur une pièce cible ou analogue causés par le chauffage lié à l'augmentation de la puissance d'excitation de plasma. L'appareil selon l'invention présente une structure dans laquelle la chaleur est éliminée de la pièce cible par le passage d'un agent de refroidissement dans un espace en spirale formé entre une pluralité de groupes d'aimants laminaires en spirale, ou par la formation d'un canal de refroidissement sur une plaque d'appui destinée à soutenir la pièce cible.
(JA)
 本発明の課題は、プラズマ励起電力の増大に伴うターゲット部等の加熱による悪影響を軽減した回転マグネットスパッタ装置を提供することにある。本発明の回転マグネットスパッタ装置は、複数の螺旋状板磁石群間に形成された螺旋状の空間に冷却用媒体を流すか、ターゲット部を支持するバッキングプレートに冷却用流路を設けることにより、ターゲット部を除熱する構造を有する。
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