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1. (WO2010131498) レーザダイオード素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131498    国際出願番号:    PCT/JP2010/051684
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 05.02.2010
IPC:
H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/022 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KONNO, Susumu [--/JP]; (JP) (米国のみ).
FURUTA, Keisuke [--/JP]; (JP) (米国のみ).
KOJIMA, Tetsuo [--/JP]; (JP) (米国のみ).
SEGUCHI, Masaki [--/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIKAWA, Shuichi [--/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIMAE, Junichi [--/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KONNO, Susumu; (JP).
FURUTA, Keisuke; (JP).
KOJIMA, Tetsuo; (JP).
SEGUCHI, Masaki; (JP).
FUJIKAWA, Shuichi; (JP).
NISHIMAE, Junichi; (JP)
代理人: SOGA, Michiharu; S. Soga & Co., 8th Floor, Kokusai Building, 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2009-115666 12.05.2009 JP
発明の名称: (EN) LASER DIODE ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE DIODE LASER
(JA) レーザダイオード素子
要約: front page image
(EN)Disclosed is a laser diode element wherein the quantity of warpage of an LD array due to the fact that members thermally expand at different thermal expansion coefficients when the members are bonded is suppressed, and increase of thermal resistance due to increase of the thickness of a sub-mount is also suppressed. The laser diode element is provided with a laser diode array (1) having a plurality of light emitting points (11), and a sub-mount (2) having a mounting surface (21) for mounting the laser diode array (1). A protruding section (22) is provided on an end portion within the same mount surface (21) on which no laser diode array (1) is mounted, and the quantity of warpage of the laser diode (1) due to thermal expansion when bonding is performed is reduced.
(FR)La présente invention a trait à un élément de diode laser permettant de réduire la quantité de gauchissement d'un réseau de diodes lasers due au fait que les éléments se dilatent thermiquement à différents coefficients de dilation thermique lorsque les éléments sont liés et permettant également de supprimer toute augmentation de la résistance thermique due à l'augmentation de l'épaisseur d'un support secondaire. L'élément de diode laser est équipé d'un réseau de diodes lasers (1) doté d'une pluralité de points électroluminescents (11), et d'un support secondaire (2) doté d'une surface de montage (21) permettant de monter le réseau de diodes lasers (1). Une partie en saillie (22) est prévue sur une partie d'extrémité à l'intérieur de la même surface de montage (21) sur laquelle aucun réseau de diodes lasers (1) n'est monté, et la quantité de gauchissement de la diode laser (1) due à la dilatation thermique lorsque la liaison est effectuée est réduite.
(JA) 接合時の部材が異なる熱膨張率で熱膨張することによるLDアレイの反り量を抑制するとともに、サブマウントの厚さ増大による熱抵抗の増加を抑制したレーザダイオード素子を得る。複数の発光点11を有するレーザダイオードアレイ1と、レーザダイオードアレイ1を搭載するためのマウント面21を有するサブマウント2とを備えたレーザダイオード素子において、レーザダイオードアレイ1が搭載されていないマウント面21の同一面内の端部に凸部22を設け、接合時の熱膨張に起因するレーザダイオード1の反り量を低減する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)