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1. (WO2010131462) 固体撮像素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131462    国際出願番号:    PCT/JP2010/003214
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 12.05.2010
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJII, Kyoko; (米国のみ).
NAKANO, Takahiro; (米国のみ)
発明者: FUJII, Kyoko; .
NAKANO, Takahiro;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2009-116873 13.05.2009 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) ELÉMENT ANALYSEUR D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子
要約: front page image
(EN)A solid-state image pickup element is provided with: a semiconductor substrate (1) on which a pixel section (20) wherein a plurality of pixels are arranged is formed; a wiring layer (13), which is formed on the semiconductor substrate (1) surface on the opposite side to the light incoming surface and has wiring (3) including the driving signal line of the pixel section (20) formed thereon; and a light shielding film (5), which is formed on the light incoming surface of the semiconductor substrate (1) and shields from light, the dark pixel which determines black signals among the pixels. A pad (6), which is formed on the wiring layer (13) and is a part of the wiring (3), and the light shielding film (5), which shields a photodiode (2A) as the dark pixel from light, are electrically connected to each other by means of wiring (10).
(FR)La présente invention a trait à un élément analyseur d'images à semi-conducteurs qui est équipé : d'un substrat semi-conducteur (1) sur lequel est formée une section de pixel (20) où plusieurs pixels sont disposés ; d'une couche de câblage (13), qui est formée sur la surface du substrat semi-conducteur (1) du côté opposé à la surface d'arrivée de la lumière et qui est dotée d'un câblage (3) incluant la ligne de signal d'attaque de la section de pixel (20) formée sur celui-ci ; et d'une couche d'écran de protection (5), qui est formée sur la surface d'arrivée de la lumière du substrat semi-conducteur (1) et qui protège contre la lumière, le pixel noir qui détermine les fréquences du noir parmi les pixels. Une plage de connexion (6), qui est formée sur la couche de câblage (13) et qui fait partie du câblage (3), et la couche d'écran de protection (5), qui protège une photodiode (2A) en tant que pixel noir contre la lumière, sont électriquement connectées l'une à l'autre au moyen du câblage (10).
(JA) 複数の画素が配列された画素部(20)が形成された半導体基板(1)と、半導体基板(1)において、光入射面の反対側の面に形成され、画素部(20)の駆動用信号線を含む配線(3)が形成された配線層(13)と、半導体基板(1)の光入射面に形成され、複数の画素のうち黒信号を決めるための暗画素を遮光する遮光膜(5)とを備える。配線層(13)に形成された、配線(3)の一部であるパッド(6)と、暗画素としてのフォトダイオード(2A)を遮光する遮光膜(5)とが配線(10)により電気的に接続される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)