WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2010131451) 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131451    国際出願番号:    PCT/JP2010/003162
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 10.05.2010
H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. [JP/JP]; 4-14-1, Sotokanda, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IKUTA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Jo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIBATA, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAMOTO, Ryo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITO, Tsuneo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IKUTA, Tetsuya; (JP).
SHIBATA, Tomohiko; (JP).
ITO, Tsuneo; (JP)
代理人: SUGIMURA, Kenji; 36F, Kasumigaseki Common Gate West, 3-2-1, Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
2009-114860 11.05.2009 JP
2010-107821 10.05.2010 JP
(JA) 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法
要約: front page image
(EN)An epitaxial substrate for electronic devices, with which the vertical-direction withstand voltage of an electronic device of a Group-III-element nitride on a conductive single-crystal SiC substrate can be improved; and a process for producing the epitaxial substrate. The epitaxial substrate for electronic devices comprises a conductive single-crystal SiC substrate, a buffer formed on the single-crystal SiC substrate and serving as an insulating layer, and a main multilayered deposit formed by epitaxially growing a plurality of Group III element nitride layers on the buffer, wherein the direction of flow of electric current is a lateral direction. The epitaxial substrate is characterized in that the buffer comprises an initially grown layer in contact with the single-crystal SiC substrate and a superlattice multilayered deposit of a superlattice multilayer structure formed on the initially grown layer, that the initially grown layer is constituted of a Ba1Alb1Gac1Ind1N (0≤a1≤1, 01≤1, 0≤c1≤1, 0≤d1≤1, and a1+b1+c1+d1=1) material and the superlattice multilayered deposit comprises a first layer constituted of a Ba2Alb2Gac2Ind2N (0≤a2≤1, 0≤b2≤1, 0≤c2≤1, 0≤d2≤1, and a2+b2+c2+d2=1) material alternating with a second layer constituted of a Ba3Alb3Gac3Ind3N (0≤a3≤1, 0≤b3≤1, 0≤c3≤1, 0≤d3≤1, and a3+b3+c3+d3=1) material, the second layer differing in band gap from the first layer, and that the superlattice multilayered deposit and/or the buffer-side layer of the main multilayered deposit has a carbon concentration of 1×1018 /cm3 or higher.
(FR)La présente invention a trait à un substrat épitaxial pour dispositifs électroniques, au moyen duquel la tension de tenue dans la direction verticale d'un dispositif électronique d'un nitrure à élément de Groupe III sur un substrat de carbure de silicium monocristallin conducteur peut être améliorée ; la présente invention a également trait à un processus de production du substrat épitaxial. Le substrat épitaxial pour dispositifs électroniques comprend un substrat de carbure de silicium monocristallin conducteur, un tampon formé sur le substrat de carbure de silicium monocristallin et tenant lieu de couche isolante, et un dépôt multicouche principal formé en procédant à la croissance épitaxiale d'une pluralité de couches de nitrure à élément de Groupe III sur le tampon, la direction de circulation du courant électrique étant une direction latérale. Le substrat épitaxial est caractérisé en ce que le tampon comprend une couche initialement cultivée en contact avec le substrat de carbure de silicium monocristallin et un dépôt multicouche super-réseau d'une structure multicouche super-réseau formée sur la couche initialement cultivée, en ce que la couche initialement cultivée est constituée d'un matériau Ba1Alb1Gac1Ind1N (0 ≤ a1 ≤ 1, 0 < b1 ≤ 1, 0 ≤ c1 ≤ 1, 0 ≤ d1 ≤ 1 et a1 + b1 + c1 + d1 = 1) et le dépôt multicouche super-réseau comprend une première couche constituée d'un matériau Ba2Alb2Gac2Ind2N (0 ≤ a2 ≤ 1, 0 ≤ b2 ≤ 1, 0 ≤ c2 ≤ 1, 0 ≤ d2 ≤ 1 et a2 + b2 + c2 + d2 = 1) alternant avec une seconde couche constituée d'un matériau Ba3Alb3Gac3Ind3N (0 ≤ a3 ≤ 1, 0 ≤ b3 ≤ 1, 0 ≤ c3 ≤ 1, 0 ≤ d3 ≤ 1 et a3 + b3 + c3 + d3 = 1), ladite seconde couche différant en termes de bande interdite de la première couche, et en ce que le dépôt multicouche super-réseau et/ou la couche du côté tampon du dépôt multicouche principal a une concentration en carbone supérieure ou égale à 1 × 1018/cm.
(JA) 導電性SiC単結晶基板上のIII族窒化物電子デバイスにおいて、縦方向耐圧を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 導電性SiC単結晶基板と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファと、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、前記SiC単結晶基板と接する初期成長層および該初期成長層上の超格子多層構造からなる超格子積層体を少なくとも有し、前記初期成長層はBa1Alb1Gac1Ind1N(0≦a1≦1, 01≦1, 0≦c1≦1, 0≦d1≦1, a1+b1+c1+d1=1)材料からなり、かつ前記超格子積層体はBa2Alb2Gac2Ind2N(0≦a2≦1, 0≦b2≦1, 0≦c2≦1, 0≦d2≦1, a2+b2+c2+d2=1)材料からなる第1層および該第1層とはバンドギャップの異なるBa3Alb3Gac3Ind3N(0≦a3≦1, 0≦b3≦1, 0≦c3≦1, 0≦d3≦1, a3+b3+c3+d3=1)材料からなる第2層を交互に積層してなり、前記超格子積層体、または、前記主積層体の前記バッファ側の部分の少なくとも一方は、C濃度が1×1018/cm3以上であることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)