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1. (WO2010131366) 表面波プラズマCVD装置および成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131366    国際出願番号:    PCT/JP2009/059084
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 15.05.2009
IPC:
C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
出願人: SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Masayasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Masayasu; (JP)
代理人: NAGAI, Fuyuki; c/o NAGAI & ASSOCIATES, Fukoku Seimei Building, 2-2-2, Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SURFACE WAVE PLASMA CVD APPARATUS AND FILM FORMING METHOD
(FR) APPAREIL CVD AU PLASMA D'ONDE DE SURFACE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 表面波プラズマCVD装置および成膜方法
要約: front page image
(EN)A surface wave plasma CVD apparatus is provided with: a waveguide tube (3), which is connected to a microwave source (2) and has a plurality of slot antennas (S) formed therein; a dielectric plate (4) for introducing microwaves radiated from the slot antennas (S) to a plasma processing chamber (1) and generating surface wave plasma; a moving apparatus (6) which reciprocates a substrate-like subject (11) whereupon a film is to be formed such that the subject (11) passes through a film-forming process region facing the dielectric plate (4); a controller (20) which controls reciprocation of the subject (11) performed by the moving apparatus (6), corresponding to film-forming conditions, and permits a film to be formed on the subject (11) whereupon the film is to be formed; and gas jetting sections (52), i.e., a plurality of gas jetting sections arranged in parallel in a direction orthogonally intersecting with the moving direction of the subject (11) at predetermined positions between the subject (11) passing through the film-forming process region and the dielectric plate (4), which jet a material process gas in the moving direction of the subject (11), through a slit parallel to the dielectric plate (4).
(FR)L'invention concerne un appareil CVD au plasma d'onde de surface comprenant : un tube de guide d'onde (3), qui est relié à une source de micro-ondes et dans lequel est formée une pluralité d'antennes à fentes (S) ; une plaque diélectrique (4) pour introduire les micro-ondes provenant des antennes à fentes (S) dans une chambre de traitement au plasma (1) et générant un plasma d'onde de surface ; un appareil mobile (6) animant d'un mouvement de va-et-vient un objet de type substrat (11) sur lequel un film doit être formé de telle sorte que l'objet (11) passe à travers une région de traitement de formation de film faisant face à la plaque diélectrique (4) ; un contrôleur (20) contrôlant le mouvement de va-et-vient de l'objet (11) réalisé par l'appareil mobile (6), correspondant aux conditions de formation de film, et permettant à un film d'être formé sur l'objet (11) sur lequel le film doit être formé ; et des sections d'éjection de gaz (52), à savoir, une pluralité de sections d'éjection de gaz agencée parallèlement dans une direction croisant orthogonalement la direction de déplacement de l'objet (11) à des positions prédéterminées entre l'objet (11) passant à travers la région de traitement de formation de film et la plaque diélectrique (4), éjectant un gaz dans la direction de déplacement de l'objet (11), à travers une fente parallèle à la plaque diélectrique (4).
(JA) 表面波プラズマCVD装置は、マイクロ波源(2)に接続され、複数のスロットアンテナ(S)が形成された導波管(3)と、複数のスロットアンテナ(S)から放射されたマイクロ波をプラズマ処理室(1)に導入して表面波プラズマを生成するための誘電体板(4)と、誘電体板(4)と対向する成膜処理領域を基板状の成膜対象(11)が通過するように、成膜対象(11)を往復動させる移動装置(6)と、成膜条件に応じて移動装置(6)による成膜対象(11)の往復動を制御し、成膜対象(11)への成膜を行わせる制御装置(20)と、成膜処理領域を通過する成膜対象(11)と誘電体板(4)との間の所定位置において成膜対象(11)の移動方向と直交する方向に複数並設されたガス噴出部(52)であって、材料性プロセスガスを誘電体板(4)に対して平行なスリットを介して成膜対象(11)の移動方向に噴出するガス噴出部(52)と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)