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1. (WO2010131317) 熱交換器、半導体装置、及び、これらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131317    国際出願番号:    PCT/JP2009/058740
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 11.05.2009
予備審査請求日:    28.09.2009    
IPC:
H01L 23/473 (2006.01), H05K 7/20 (2006.01)
出願人: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORINO Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKETSUNA Yasuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAKIUCHI Eisaku [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKANO Yuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORINO Masahiro; (JP).
TAKETSUNA Yasuji; (JP).
KAKIUCHI Eisaku; (JP).
TAKANO Yuya; (JP)
代理人: COSMOS PATENT OFFICE; Annex 2nd Floor, Nagoya Center Building, 2-22, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) HEAT EXCHANGER, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE HEAT EXCHANGER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉCHANGEUR DE CHALEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE L'ÉCHANGEUR DE CHALEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 熱交換器、半導体装置、及び、これらの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a heat exchanger wherein warping (bending) of an intervening member and a frame is suppressed when the intervening member and a wall portion of the frame member having different linear expansion coefficients are welded with each other. A method for manufacturing the heat exchanger, a semiconductor device wherein warping (bending) of an intervening member and a frame is suppressed, and a method for manufacturing the semiconductor device are also disclosed. Specifically disclosed is a heat exchanger (10) wherein a fin member (20) provided with a plurality of fins (22) forming flow channels (25) for a refrigerant is arranged within a frame (30) which forms the outer casing. The frame (30) has a first frame member (31) (a first wall portion) to which insulating plates (60) (intervening members) interposed between the frame (30) and heat-generating bodies (semiconductor elements (71-74)) are welded. The insulating plates (60) (intervening members) have a linear expansion coefficient different from that of the frame (30). The first frame member (31) is provided with elastically deformable projections (31b-31e) (elastically deformable portions) along an arrangement surface (31g) of the outer surface (31f) on which the insulating plates (60) (intervening members) are arranged.
(FR)L'invention porte sur un échangeur de chaleur dans lequel un gauchissement (courbure) d'un élément intermédiaire et d'un cadre est supprimé lorsque l'élément intermédiaire et une partie paroi de l'élément du cadre ayant des coefficients de dilatation linéaire différents sont soudés l'un à l'autre. L'invention porte également sur un procédé de fabrication de l'échangeur de chaleur, sur un dispositif à semi-conducteurs dans lequel un gauchissement (courbure) d'un élément intermédiaire et d'un cadre est supprimé, et sur un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs. L'invention porte spécifiquement sur un échangeur de chaleur (10) dans lequel un élément à ailettes (20) comprenant une pluralité d'ailettes (22) formant des canaux d'écoulement (25) pour un réfrigérant est agencé dans un cadre (30) qui forme le boîtier extérieur. Le cadre (30) comprend un premier élément de cadre (31) (une première partie paroi) auquel des plaques isolantes (60) (éléments intermédiaires) intercalées entre le cadre (30) et des corps générateurs de chaleur (éléments à semi-conducteurs (71-74)) sont soudées. Les plaques isolantes (60) (éléments intermédiaires) ont un coefficient de dilatation linéaire différent de celui du cadre (30). Le premier élément du cadre (31) comporte des saillies élastiquement déformables (31b à 31e) (parties élastiquement déformables) le long d'une surface d'agencement (31g) de la surface extérieure (31f) sur laquelle les plaques isolantes (60) (éléments intermédiaires) sont agencées.
(JA) 線膨張率が異なる介在部材とフレームの壁部とを溶接したときの介在部材及びフレームの反り(湾曲)を抑制することができる熱交換器及びその製造方法、並びに、介在部材及びフレームの反り(湾曲)が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。熱交換器10では、外枠を形成するフレーム30の内部に、冷媒の流路25を形成する複数のフィン22を備えたフィン部材20が配置されている。フレーム30は、フレーム30と発熱体(半導体素子71~74)との間に介在する絶縁板60(介在部材)が溶接される第1フレーム部材31(第1壁部)を有している。絶縁板60(介在部材)は、フレーム30と線膨張率が異なる。第1フレーム部材31は、その外面31fのうち絶縁板60(介在部材)が配置される配置面31gに沿った沿面方向に弾性変形可能な突出部31b~31e(弾性変形可能部)を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)