WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010131291) 半導体ウエハ収納容器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/131291    国際出願番号:    PCT/JP2009/002073
国際公開日: 18.11.2010 国際出願日: 13.05.2009
IPC:
H01L 21/673 (2006.01)
出願人: MIRAIAL CO., LTD. [JP/JP]; 18-2, Nishi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1710021 (JP) (米国を除く全ての指定国).
INOUE, Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: INOUE, Kazuya; (JP)
代理人: MITSUI, Kazuhiko; 10-15-401, Shimouma 4-chome, Setagaya-ku Tokyo 1540002 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR WAFER HOUSING CONTAINER
(FR) RÉCIPIENT DE BOÎTIER DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウエハ収納容器
要約: front page image
(EN)A semiconductor wafer housing container is provided with wafer protection grooves (10) located in a deep-end wall (1b) of a container body (1).  The grooves (10) have a cross-sectional shape of an undulation and are each formed such that a portion thereof opposed to an outer edge of each semiconductor wafer (W) is a groove bottom (10b) farthest away from an opening (1a) and such that each groove (10) has a greater opening width than the thickness of the semiconductor wafer (W).  An imaginary line (Q) interconnecting the crests of the undulation is located on the inner side, or at the same positions as the outer edges, of the semiconductor wafers (W) facing the grooves (10).  The construction provides the container with high impact resistance which makes the semiconductor wafers (W) housed in the container less likely to suffer damage even if a large impact due to dropping and careless handling of the container is applied to the container.
(FR)La présente invention a trait à un récipient de boîtier de plaquette de semi-conducteur qui est équipé de rainures de protection de plaquette (10) situées dans une paroi d'extrémité profonde (1b) d'un corps de récipient (1). Les rainures (10) ont une forme en coupe transversale d'ondulation et sont chacune formées de manière à ce qu'une partie de ces dernières opposée à un bord extérieur de chaque plaquette de semi-conducteur (W) soit une partie inférieure de rainure (10b) située le plus loin possible d'une ouverture (1a) et de manière à ce que chaque rainure (10) ait une largeur d'ouverture supérieure à l'épaisseur de la plaquette de semi-conducteur (W). Une ligne imaginaire (Q) interconnectant les crêtes de l'ondulation est située sur le côté intérieur, ou aux mêmes emplacements que les bords extérieurs, des plaquettes de semi-conducteur (W) faisant face aux rainures (10). La construction fournit au récipient une forte résistance aux chocs, ce qui permet de réduire les risques pour les plaquettes de semi-conducteur (W) logées dans le récipient d'être endommagées y compris si un choc important dû à la chute et à une manipulation négligente du récipient est appliqué au récipient.
(JA) 容器本体(1)の奥壁(1b)に、各半導体ウエハ(W)の外縁部に対向する位置が開口部(1a)側から最も遠い谷部(10b)になっていて、半導体ウエハ(W)の厚みより広い開口幅を備えた波形の断面形状に形成され、常態では波形の頂部どうしを結ぶ仮想線(Q)がそこに面する各半導体ウエハ(W)の外縁部より奥側位置又は同位置にあるウエハ保護溝(10)を備えている。それによって、落下その他のハンドリングミス等により大きな衝撃が加わっても、内部に収納されている半導体ウエハ(W)が損傷し難い優れた耐衝撃性を得ることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)