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1. (WO2010128666) 貼り合わせウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/128666    国際出願番号:    PCT/JP2010/057774
国際公開日: 11.11.2010 国際出願日: 06.05.2010
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AKIYAMA, Shoji; (JP)
代理人: OKUYAMA, Shoichi; 7th Floor, Akasaka Eight One Building, 13-5, Nagata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000014 (JP)
優先権情報:
2009-112658 07.05.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING BONDED WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE LIÉE
(JA) 貼り合わせウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a bonded wafer, wherein substrate breakage due to a difference between thermal expansion coefficients is not generated and no untransferred portion of a semiconductor thin film to be transferred is generated. The method for manufacturing a bonded wafer (8) wherein a semiconductor thin film (4) is provided on the surface of a handle substrate (3) includes: a step of forming an ion-implanted layer (2) by implanting ions from the surface (5) of a semiconductor substrate (1); a step of performing surface activating treatment to the surface (5) of the semiconductor substrate (1) and/or the surface of the handle substrate (3); a step of bonding the surface (5) of the semiconductor substrate (1) and the surface of the handle substrate (3) at 50-350°C; a step of obtaining a bonded body (6) by performing heat treatment to the bonded substrates at a maximum temperature of 200-350°C; a step of disposing the bonded body (6) at a temperature higher than the bonding temperature by 30-100°C, making the interface of the ion-implanted layer (2) brittle by radiating visible light toward the ion-implanted layer (2) of the semiconductor substrate from the handle substrate side or the semiconductor substrate side of the bonded body (6), and transferring the semiconductor thin film (4).
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche liée, dans lequel une rupture de substrat due à une différence entre des coefficients de dilation thermique n'est pas générée et aucune partie non transférée d'un film mince semi-conducteur devant être transféré n'est générée. Le procédé de fabrication d'une tranche liée (8) dans lequel un film mince semi-conducteur (4) est formé sur la surface d'un substrat de manipulation (3) comprend les étapes suivantes : la formation d'une couche à ions implantés (2) par l'implantation d'ions provenant de la surface (5) d'un substrat semi-conducteur (1) ; l'application de traitement d'activation de surface à la surface (5) du substrat semi-conducteur (1) et/ou la surface du substrat de manipulation (3) ; la liaison de la surface (5) du substrat semi-conducteur (1) et de la surface du substrat de manipulation (3) à une température de 50 à 350°C ; l'obtention d'un corps lié (6) par l'application d'un traitement thermique aux substrats liés à une température maximale allant de 200 à 350°C ; le placement du corps lié (6) à une température supérieure de 30 à 100°C à la température de liaison, rendant l'interface de la couche à ions implantés (2) fragile par émission de lumière visible vers la couche à ions implantés (2) du substrat semi-conducteur à partir du côté substrat de manipulation ou du côté substrat semi-conducteur du corps lié (6), et transférant le film mince semi-conducteur (4).
(JA)熱膨張率の違いによる基板破損が生じず、転写される半導体薄膜に未転写部が生じない貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 ハンドル基板3の表面に半導体薄膜4を備える貼り合わせウェーハ8の製造方法であって、半導体基板1の表面5からイオンを注入してイオン注入層2を形成する工程、半導体基板1の表面5とハンドル基板3の表面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、半導体基板1の表面5とハンドル基板3の表面とを50℃以上350℃以下で貼り合わせる工程、貼り合わせた基板に、最高温度として200℃以上350℃以下の熱処理を加え、接合体6を得る工程、接合体6を貼り合せ温度よりも30~100℃高温に設置し、接合体6のハンドル基板側または半導体基板側から半導体基板のイオン注入層2に向けて可視光を照射してイオン注入層2の界面を脆化し、半導体薄膜4を転写する工程を含む製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)