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1. WO2010128643 - 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法

公開番号 WO/2010/128643
公開日 11.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/057599
国際出願日 28.04.2010
予備審査請求日 10.09.2010
IPC
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
H01L 21/0242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
0242Crystalline insulating materials
H01L 21/02458
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02458Nitrides
H01L 21/02505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
H01L 21/0254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
0254Nitrides
H01L 21/02581
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02581Transition metal or rare earth elements
H01L 21/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
出願人
  • 国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSIY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 西川 敦 NISHIKAWA, Atsushi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤原 康文 FUJIWARA, Yasufumi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 寺井 慶和 TERAI, Yoshikazu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 川崎 隆志 KAWASAKI, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 古川 直樹 FURUKAWA, Naoki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 西川 敦 NISHIKAWA, Atsushi
  • 藤原 康文 FUJIWARA, Yasufumi
  • 寺井 慶和 TERAI, Yoshikazu
  • 川崎 隆志 KAWASAKI, Takashi
  • 古川 直樹 FURUKAWA, Naoki
代理人
  • 上代 哲司 JODAI, Tetsuji
優先権情報
2009-11253507.05.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING RED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UNE LUMIÈRE ROUGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法
要約
(EN)
Disclosed are: an environmentally friendly red light-emitting semiconductor element which operates at low voltage, while having sufficient luminous efficiency and sufficient luminous intensity; and a method for manufacturing the red light-emitting semiconductor element. Specifically disclosed is a method for manufacturing a red light-emitting semiconductor element, wherein an active layer is formed between a p-type layer and an n-type layer in a sequence of the formation steps of the p-type layer and the n-type layer, said active layer being obtained by adding Eu or Pr into GaN, InN, AlN or a mixed crystal thereof by substituting Ga, In or Al with Eu or Pr, using an organic metal vapor phase deposition method under specific temperature conditions in a site wherein light having a wavelength of 618-623 nm can be emitted. Also specifically disclosed is a red light-emitting semiconductor element which is manufactured by the method for manufacturing a red light-emitting semiconductor element.
(FR)
L'invention concerne un élément semi-conducteur émettant une lumière rouge respectueux de l'environnement, fonctionnant à basse tension tout en présentant un rendement lumineux suffisant et une intensité lumineuse suffisante, et un procédé de fabrication dudit élément semi-conducteur émettant une lumière rouge. L'invention concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur émettant une lumière rouge qui consiste à former une couche active entre une couche de type p et une couche de type n à la suite des étapes de formation de la couche de type p et de la couche de type n, ladite couche active étant obtenue par l'addition de Eu ou de Pr dans du GaN, InN, AlN ou un mélange cristallin de ces derniers en substituant du Ga, In ou Al avec du Eu ou du Pr, au moyen d'un procédé de dépôt en phase vapeur d'un métal organique dans des conditions spécifiques de température dans un site où une lumière présentant une longueur d'onde de 618 à 623 nm peut être émise. L'invention concerne également plus particulièrement un élément semi-conducteur émettant une lumière rouge fabriqué grâce au procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur émettant une lumière rouge.
(JA)
 低電圧で動作し充分な発光効率と発光強度とを有し、さらに環境に優しい赤色発光半導体素子およびその製造方法を提供する。 GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶に、有機金属気相成長法を用いて、所定の温度条件の下、618~623nmの波長の発光が可能なサイトで、EuまたはPrを、Ga、InあるいはAlと置換するように添加した活性層を、p型層とn型層の間に、p型層とn型層の形成と一連の形成工程において形成する赤色発光半導体素子の製造方法、および前記赤色発光半導体素子の製造方法により製造された赤色発光半導体素子。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報