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1. (WO2010128643) 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/128643    国際出願番号:    PCT/JP2010/057599
国際公開日: 11.11.2010 国際出願日: 28.04.2010
予備審査請求日:    10.09.2010    
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: OSAKA UNIVERSIY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIKAWA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIWARA, Yasufumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAI, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWASAKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FURUKAWA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIKAWA, Atsushi; (JP).
FUJIWARA, Yasufumi; (JP).
TERAI, Yoshikazu; (JP).
KAWASAKI, Takashi; (JP).
FURUKAWA, Naoki; (JP)
代理人: JODAI, Tetsuji; 601 Newlife Koraibashi, 3-32, Higashikoraibashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400039 (JP)
優先権情報:
2009-112535 07.05.2009 JP
発明の名称: (EN) RED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING RED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UNE LUMIÈRE ROUGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed are: an environmentally friendly red light-emitting semiconductor element which operates at low voltage, while having sufficient luminous efficiency and sufficient luminous intensity; and a method for manufacturing the red light-emitting semiconductor element. Specifically disclosed is a method for manufacturing a red light-emitting semiconductor element, wherein an active layer is formed between a p-type layer and an n-type layer in a sequence of the formation steps of the p-type layer and the n-type layer, said active layer being obtained by adding Eu or Pr into GaN, InN, AlN or a mixed crystal thereof by substituting Ga, In or Al with Eu or Pr, using an organic metal vapor phase deposition method under specific temperature conditions in a site wherein light having a wavelength of 618-623 nm can be emitted. Also specifically disclosed is a red light-emitting semiconductor element which is manufactured by the method for manufacturing a red light-emitting semiconductor element.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur émettant une lumière rouge respectueux de l'environnement, fonctionnant à basse tension tout en présentant un rendement lumineux suffisant et une intensité lumineuse suffisante, et un procédé de fabrication dudit élément semi-conducteur émettant une lumière rouge. L'invention concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur émettant une lumière rouge qui consiste à former une couche active entre une couche de type p et une couche de type n à la suite des étapes de formation de la couche de type p et de la couche de type n, ladite couche active étant obtenue par l'addition de Eu ou de Pr dans du GaN, InN, AlN ou un mélange cristallin de ces derniers en substituant du Ga, In ou Al avec du Eu ou du Pr, au moyen d'un procédé de dépôt en phase vapeur d'un métal organique dans des conditions spécifiques de température dans un site où une lumière présentant une longueur d'onde de 618 à 623 nm peut être émise. L'invention concerne également plus particulièrement un élément semi-conducteur émettant une lumière rouge fabriqué grâce au procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur émettant une lumière rouge.
(JA) 低電圧で動作し充分な発光効率と発光強度とを有し、さらに環境に優しい赤色発光半導体素子およびその製造方法を提供する。 GaN、InN、AlNまたはこれらのいずれか2つ以上の混晶に、有機金属気相成長法を用いて、所定の温度条件の下、618~623nmの波長の発光が可能なサイトで、EuまたはPrを、Ga、InあるいはAlと置換するように添加した活性層を、p型層とn型層の間に、p型層とn型層の形成と一連の形成工程において形成する赤色発光半導体素子の製造方法、および前記赤色発光半導体素子の製造方法により製造された赤色発光半導体素子。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)