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1. (WO2010128642) 微細パターン形成方法、微細パターン形成装置、及び回路素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/128642    国際出願番号:    PCT/JP2010/057570
国際公開日: 11.11.2010 国際出願日: 28.04.2010
IPC:
B05D 1/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: Japan Advanced Institute of Science and Technology [JP/JP]; 1-1, Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa 9231292 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIMODA Tatsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIMODA Tatsuya; (JP)
代理人: MATSUURA Yasuji; 2F, 17-19, Sakaisunayama 4-chome, Nishi-ku, Niigata-shi, Niigata 9502044 (JP)
優先権情報:
2009-112455 07.05.2009 JP
発明の名称: (EN) MICROPATTERN FORMING METHOD, MICROPATTERN FORMING DEVICE, AND CIRCUIT ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MICROMOTIFS, DISPOSITIF DE FORMATION DE MICROMOTIFS ET ÉLÉMENT DE CIRCUIT
(JA) 微細パターン形成方法、微細パターン形成装置、及び回路素子
要約: front page image
(EN)Disclosed are a micropattern forming method and a micropattern forming device enabling control of the shapes and pitches of pattern constituent elements and not requiring giving an artificial driving force to the droplet and the substrate when a micropattern is formed. The micropattern forming method includes step S1 of placing a first substrate having a surface-treated surface and a large number of pinning sites formed thereon, step S2C of placing a second substrate apart from the first substrate in such a way as to face the surface-treated surface of the first substrate, step S2D of sealing a solution into the space defined between the first and second substrates, step S3 of drying/contracting the solution and moving the contact line of the solution on the surface-treated surface while pinning/depinnin the contact line at a pinning site. When the contact line of the solution is pinned, the solute in the solution is deposited on the second substrate, and a pattern is formed.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de formation de micromotifs et à un dispositif de formation de micromotifs permettant la commande des formes et des pas d'éléments de constitution de motif et ne nécessitant pas l'application d'une force d'entraînement artificielle à la gouttelette et au substrat lors de la formation d'un micromotif. Le procédé de formation de micromotifs comprend l'étape S1 consistant à placer un premier substrat sur lequel sont formés une surface traitée et un grand nombre de sites d'ancrage, l'étape S2C consistant à placer un second substrat à l'écart du premier substrat de manière à faire face à la surface traitée du premier substrat, l'étape S2D consistant à sceller une solution dans l'espace délimité entre les premier et second substrats, l'étape S3 consistant à sécher/contracter la solution et à déplacer la ligne de contact de la solution sur la surface traitée pendant l'ancrage/détachement de la ligne de contact sur un site d'ancrage. Lorsque la ligne de contact de la solution est ancrée, le soluté dans la solution est déposé sur le second substrat, et un motif est formé.
(JA) パターン構成要素の形状やピッチを制御可能であり、微細パターン形成にあたって、液滴や基板に人工的な駆動力を付与する必要の無い微細パターン形成方法及び微細パターン形成装置を提供する。 微細パターン形成方法は、表面処理を施した面を備えかつ表面処理面に多数のピニングサイトが形成された第1基板を配置する工程S1と、第1基板の表面処理面と対向するように第1基板から離間させながら第2基板を配置する工程S2Cと、第1基板と第2基板との間によって形成された空間に溶液を封入する工程S2Dと、溶液を乾燥収縮させて溶液のコンタクトラインをピニングサイトにてピニング・ディピニングさせながら表面処理面上で移動させる工程S3と、を含む。溶液のコンタクトラインがピニングされる際に、溶液中の溶質が第2基板に析出してパターンが形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)