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1. WO2010128631 - 半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具

公開番号 WO/2010/128631
公開日 11.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/057328
国際出願日 26.04.2010
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B24B 37/04 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
04平面を加工するために設計されたもの
B24B 53/12 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
53研削面のドレッシングまたは正常化のための装置または手段
12ドレッシング工具;そのためのホルダー
CPC
B24B 37/042
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
B24B 37/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
07characterised by the movement of the work or lapping tool
08for double side lapping
B24B 53/017
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
53Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
B24B 53/07
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
53Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
06of profiled abrasive wheels
07by means of forming tools having a shape complementary to that to be produced, e.g. blocks, profile rolls
B24B 53/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
53Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
12Dressing tools; Holders therefor
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 高井 宏 TAKAI, Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 高井 宏 TAKAI, Hiroshi
代理人
  • 村上 友一 MURAKAMI, Tomokazu
優先権情報
2009-11368808.05.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING METHOD AND POLISHING PAD SHAPING JIG
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE PLAQUETTES SEMI-CONDUCTRICES ET GABARIT DE MISE EN FORME DE TAMPONS DE POLISSAGE
(JA) 半導体ウェーハの研磨方法及び研磨パッド整形治具
要約
(EN)
Disclosed is a semiconductor wafer polishing method for polishing the surfaces to be polished of semiconductor wafers by use of polishing pads (16, 17) provided on fixing plates by relative movement of the polishing pads and the semiconductor wafers held by carriers. The shaping surfaces (25) of a polishing pad shaping jig (21) are shaped by inverting, with respect to ideal shapes, the shapes of the surfaces to be polished of each semiconductor wafer when the surfaces are polished by use of the polishing pads (16, 17) before shaping, and the shapes of the shaping surfaces of the polishing pad shaping jig are transferred to the pad surfaces (16A and 17A) of the respective polishing pads (16, 17). The surfaces to be polished of each semiconductor wafer are polished by use of the pad surfaces.
(FR)
L'invention concerne un procédé de polissage de plaquettes semi-conductrices pour le polissage des surfaces à polir de plaquettes semi-conductrices au moyen de tampons de polissage (16, 17) placés sur des plaques de fixation, ledit polissage étant effectué par un mouvement relatif des tampons de polissage et des plaquettes de semi-conducteur maintenues par des supports. Les surfaces de mise en forme (25) d'un gabarit de mise en forme (21) des tampons de polissage sont formées en inversant, par rapport aux formes idéales, la forme des surfaces à polir de chaque plaquette semi-conductrice lorsque les surfaces sont polies en utilisant les tampons de polissage (16, 17) avant la mise en forme, et la forme des surfaces de mise en forme du gabarit de mise en forme des tampons de polissage est transférée aux surfaces (16A et 17A) des tampons de polissage concernés (16 ; 17). Les surfaces à polir de chaque plaquette semi-conductrice sont polies en utilisant les surfaces des tampons.
(JA)
 定盤に設けられた研磨パッド16、17と、キャリアに保持された半導体ウェーハとの相対移動により、半導体ウェーハの被研磨面を研磨パッドにより研磨する半導体ウェーハの研磨方法において、整形前の研磨パッド16、17を用いて研磨したときの半導体ウェーハの被研磨面の形状を、理想の形状に対し反転して研磨パッド整形治具21の整形面25を形成し、この研磨パッド整形治具の整形面の形状を研磨パッド16、17のそれぞれのパッド面16A及び17Aに転写し、このパッド面を用いて半導体ウェーハの被研磨面を研磨するものである。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報