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1. (WO2010128615) 記憶素子及び記憶方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/128615    国際出願番号:    PCT/JP2010/056650
国際公開日: 11.11.2010 国際出願日: 14.04.2010
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono Chigasaki-shi, Kanagawa Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIKUCHI, Yukio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IMAKITA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIKUCHI, Yukio; (JP).
IMAKITA, Kenichi; (JP)
代理人: ISHIJIMA, Shigeo; Toranomonkougyou Bldg., 3F 1-2-18, Toranomon Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2009-114010 08.05.2009 JP
発明の名称: (EN) STORAGE ELEMENT AND STORAGE METHOD
(FR) ELÉMENT DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE MÉMORISATION
(JA) 記憶素子及び記憶方法
要約: front page image
(EN)Disclosed are a storage element having a large storage capacity, and a storage method. The storage element is configured such that first and second magnetoresistive elements are connected in parallel. The first and the second magnetoresistive elements have a common fixed layer, first and second free layers (22, 32) having coercive forces smaller than the coercive force of the fixed layer, and a common insulating layer sandwiched between the fixed layer and the free layers. Each of the first and the second free layers (22, 32) has a shape having a longitudinal direction length and a width direction length shorter than the longitudinal direction length, and the free layers are disposed such that the straight lines extending in the respective longitudinal directions are perpendicular to each other. The magnetization direction (F0) of the fixed layer and the magnetization directions (F1, F2) of the first and the second free layers (22, 32) are parallel to the longitudinal direction of the first free layer (22). The coercive force of the first free layer (22) which is magnetized in the longitudinal direction is smaller than that of the second free layer (32) magnetized in the width direction. Therefore, ternary or quaternary storage is made possible by inverting the magnetization direction (F1) of the first free layer without changing the magnetization direction (F2) of the second free layer (32).
(FR)L'invention concerne un élément de mémoire d'une grande capacité de mémorisation et un procédé de mémorisation. L'élément de mémoire est configuré de telle manière que des premier et second éléments de magnétorésistance soient connectés en parallèle. Le premier et le second élément de magnétorésistance présentent une couche fixe commune, une première et une seconde couche libre (22, 32) dont la force coercitive est inférieure à la force coercitive de la couche fixe, et une couche isolante commune intercalée entre la couche fixe et les couches libres. Chacune des première et seconde couches libres (22, 32) présente une forme définie par une longueur dans le sens de la longueur et une longueur dans le sens de la largeur plus courte que la longueur dans le sens de la longueur, et les couches libres sont disposées de telle manière que les lignes droites s'étendant dans les sens de la longueur respectifs soient parallèles l'une à l'autre. Le sens de magnétisation (F0) de la couche fixe et le sens de magnétisation (F1, F2) de la première et de la seconde couche libre (22, 32) sont parallèles au sens de la longueur de la première couche libre (22). La force coercitive de la première couche libre (22) qui est magnétisée dans le sens de la longueur est inférieure à celle de la seconde couche libre (32) magnétisée dans le sens de la largeur. Par conséquent, il est possible de réaliser une mémorisation ternaire ou quaternaire en inversant le sens de magnétisation (F1) de la première couche libre sans changer le sens de magnétisation (F2) de la seconde couche libre (32).
(JA)記憶容量の高い記憶素子及び記憶方法を提供する。本発明の記憶素子は第一、第二の磁気抵抗素子が並列接続されて構成される。第一、第二の磁気抵抗素子は共通の固定層と、固定層より保磁力の小さい第一、第二の自由層22、32と、固定層と自由層に挟まれた共通の絶縁層を有する。第一、第二の自由層22、32は長手方向と、長手方向より長さの短い幅方向を有する形状をしており、互いの長手方向に沿って延びる直線が直角になるように配置されている。固定層の磁化方向F0と第一、第二の自由層22、32の磁化方向F1、F2は、第一の自由層22の長手方向と平行な方向にされている。長手方向に磁化された第一の自由層22の保磁力は、幅方向に磁化された第二の自由層32の保磁力より小さい。従って、第二の自由層32の磁化方向F2を変えずに、第一の自由層の磁化方向F1を反転させることで、3値又は4値の記憶が可能になっている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)