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1. (WO2010126131) 電子部品用チタン銅の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/126131    国際出願番号:    PCT/JP2010/057676
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 30.04.2010
IPC:
C22F 1/08 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), C22F 1/00 (2006.01), C22F 1/02 (2006.01)
出願人: JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku , Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ERA, Naohiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HORIE, Hiroyasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ONO, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ERA, Naohiko; (JP).
HORIE, Hiroyasu; (JP).
ONO, Toshiyuki; (JP)
代理人: AXIS Patent International; Yushi Kogyo Kaikan,13-11, Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030027 (JP)
優先権情報:
2009-111322 30.04.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A TITANIUM-COPPER FOR ELECTRONIC COMPONENTS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TITANE-CUIVRE POUR DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES
(JA) 電子部品用チタン銅の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a copper alloy for use in electronic components, said alloy containing, by mass, 2.0–4.0% titanium and a total of 0–0.5% of one or more third elements selected from the group comprising manganese, iron, magnesium, cobalt, nickel, chromium, vanadium, niobium, molybdenum, zirconium, silicon, boron, and phosphorus, with the remainder comprising copper and unavoidable impurities. After a last solution treatment, the titanium-copper is heat-treated to increase the conductivity by 0.5–8% IACS, then cold-rolled, and finally aged.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un alliage de cuivre destiné à être utilisé dans des composants électroniques, ledit alliage contenant, en masse, 2,0–4,0 % de titane et un total de 0–0,5 % d'un ou plusieurs troisièmes éléments choisis dans le groupe comprenant le manganèse, le fer, le magnésium, le cobalt, le nickel, le chrome, le vanadium, le niobium, le molybdène, le zirconium, le silicium, le bore et le phosphore, le reste comprenant le cuivre et les impuretés inévitables. Après un dernier traitement en solution, le titane-cuivre est traité à chaud pour augmenter la conductivité de 0,5–8 % IACS, puis laminé à froid, et finalement vieilli.
(JA) Tiを2.0~4.0質量%含有し、第3元素群としてMn、Fe、Mg、Co、Ni、Cr、V、Nb、Mo、Zr、Si、B及びPよりなる群から選択される1種又は2種以上を合計で0~0.5質量%含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる電子部品用銅合金の製造方法であって、最終の溶体化処理後に、導電率を0.5~8%IACS上昇させる熱処理を行い、冷間圧延、及び時効処理を順に行うチタン銅の製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)