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1. WO2010126122 - 貼り合わせウェーハの製造方法

公開番号 WO/2010/126122
公開日 04.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/057650
国際出願日 30.04.2010
IPC
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/265 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
265イオン注入法
H01L 27/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
CPC
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
出願人
  • 信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 川合 信 KAWAI, Makoto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 飛坂 優二 TOBISAKA, Yuji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 秋山 昌次 AKIYAMA, Shoji [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 川合 信 KAWAI, Makoto
  • 飛坂 優二 TOBISAKA, Yuji
  • 秋山 昌次 AKIYAMA, Shoji
代理人
  • 奥山 尚一 OKUYAMA, Shoichi
優先権情報
2009-11186501.05.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING BONDED WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE LIÉE
(JA) 貼り合わせウェーハの製造方法
要約
(EN)
Disclosed is a method for performing peeling without generating breakage of a substrate in the case where the thermal expansion coefficient of a handle substrate is higher than that of a donor substrate. A method for manufacturing a bonded wafer at least includes: a step of forming an ion-implanted interface (5) by implanting ions from the surface of a donor substrate (3); a step of making a bonded substrate by bonding a handle substrate (7), which has a thermal expansion coefficient higher than that of the donor substrate (3), on the donor substrate (3) surface having the ions implanted therein; a step of obtaining a bonded body (1) by performing heat treatment to the bonded substrate; a peeling step wherein the bonded body (1) is cooled to a temperature below the room temperature by means of a cooling apparatus (20), the donor substrate (3) of the bonded body (1) is peeled from the ion–implanted interface, and a donor thin film is transferred onto the handle substrate (7).
(FR)
L'invention propose un procédé de retrait qui ne cause pas de fissure dans le cas où le coefficient d'expansion thermique du substrat de manipulation est plus élevé que celui du substrat donneur. Le procédé de production de tranche liée comprend au moins une étape de formation de l'interface d'implantation d'ions (5) par implantation d'ions provenant de la surface du substrat donneur (3); une étape de constitution du substrat lié en liant à ladite surface sur laquelle ont été implantés les ions provenant de la surface du substrat donneur (3) le substrat de manipulation (7) qui possède un coefficient d'expansion thermique plus important que celui du substrat donneur (3); une étape de traitement thermique dudit substrat lié et d'obtention de l'ensemble (1); une étape de retrait dans laquelle l'ensemble (1) est refroidi à une température inférieure ou égale à la température ambiante grâce au dispositif de refroidissement (20), le substrat donneur (3) de l'ensemble (1) est retiré de ladite surface d'implantation d'ions, et la couche mince donneuse est transférée sur le substrat de manipulation (7).
(JA)
 ハンドル基板の熱膨張率がドナー基板より高い場合に、基板に割れを生ずることなく剥離を行う方法を提供する。 ドナー基板3の表面からイオンを注入してイオン注入界面5を形成する工程と、前記ドナー基板3のイオン注入を行った前記表面に、前記ドナー基板3より大きい熱膨張率を有するハンドル基板7を貼り合わせて貼り合わせ基板を作成する工程と、前記貼り合わせ基板に熱処理を行い接合体1を得る工程と、前記接合体1を冷却装置20により室温以下の温度に冷却して前記接合体1のドナー基板3を前記イオン注入界面において剥離してドナー薄膜を前記ハンドル基板7上に転写する剥離工程とを少なくとも含んでなる貼り合わせウェーハの製造方法である。
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