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1. WO2010126016 - フラックスの不純物除去方法

公開番号 WO/2010/126016
公開日 04.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/057409
国際出願日 27.04.2010
IPC
C01B 13/16 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
13酸素;オゾン;酸化物または水酸化物一般
14酸化物または水酸化物の一般的製造方法
16精製
B22D 25/04 2006.01
B処理操作;運輸
22鋳造;粉末冶金
D金属の鋳造;同じ方法または装置による他の物質の鋳造
25製品の性質に特徴のある特殊鋳造
02その形状に特徴のあるもの;芸術的製品のもの
04電池用金属板または類似のものの鋳造
C01B 33/037 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
02けい素
037精製
C01B 33/12 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
113酸化けい素;その水和物
12シリカ;その水和物,例.うろこ状けい酸
C22B 9/05 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
B金属の製造または精製;原料の予備処理
9金属の精製または再溶解の一般的方法;金属のエレクトロスラグまたはアーク再溶融のための装置
05ガスによる処理,例.ガスフラッシュ法,による精製
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C01B 33/037
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
037Purification
C01P 2004/64
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
60Particles characterised by their size
64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
C22B 61/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
BPRODUCTION AND REFINING OF METALS
61Obtaining metals not elsewhere provided for in this subclass
C22B 9/05
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
BPRODUCTION AND REFINING OF METALS
9General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
05Refining by treating with gases, e.g. gas flushing ; also refining by means of a material generating gas in situ
C22B 9/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
BPRODUCTION AND REFINING OF METALS
9General processes of refining or remelting of metals; Apparatus for electroslag or arc remelting of metals
10with refining or fluxing agents; Use of materials therefor, ; e.g. slagging or scorifying agents
出願人
  • 信越化学工業株式会社 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 畑山 和久 HATAYAMA Kazuhisa [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 畑山 和久 HATAYAMA Kazuhisa
代理人
  • 小島 隆司 KOJIMA Takashi
優先権情報
2009-10732927.04.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR REMOVING IMPURITIES FROM FLUX
(FR) PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DES IMPURETÉS D'UN FLUX
(JA) フラックスの不純物除去方法
要約
(EN)
Disclosed is a method for removing impurities from a flux, which is characterized in that the impurities in the flux are reduced by heating and melting the flux containing the impurities and blowing a gas that contains water vapor and/or oxygen into the molten flux. The method is capable of effectively reducing impurities, especially B in a flux that is used for the production of high-purity Si for solar cells by a metallurgical process. A flux obtained by the method contains an extremely small amount of B or does not substantially contain B. Consequently, by using this method when high-purity Si for solar cells is produced by a metallurgical process, a large amount of B in Si can be easily and quickly removed therefrom. Then, P is volatilized and removed from the Si, from which B has been removed, in a high vacuum by local high-temperature heating or the like. After that, metal impurities in the Si are reduced by unidirectional solidification or the like, thereby obtaining high-purity Si, which has a purity of about 6N and is usable for a solar cell, at extremely low cost.
(FR)
Cette invention concerne un procédé d'élimination des impuretés d'un flux, caractérisé en ce que les impuretés présentes dans le flux sont réduites par chauffage et fusion du flux renfermant les impuretés, et par insufflation d'un gaz renfermant de la vapeur d'eau et/ou de l'oxygène dans le flux en fusion. Le procédé est capable de réduire avec efficacité les impuretés, en particulier B, dans un flux qui est utilisé pour produire Si de grande pureté pour les piles solaires par un processus métallurgique. Le flux obtenu par le procédé de l'invention contient une quantité de B extrêmement petite ou ne contient sensiblement pas de B. Ainsi lorsque Si de grande pureté pour piles solaires est produit par un processus métallurgique, le procédé de l'invention permet d'éliminer facilement et rapidement une grande quantité de B présent dans Si. P est ensuite volatilisé et éliminé de Si, déjà débarrassé de B, dans des conditions de vide important, notamment par chauffage local à haute température. Les impuretés métalliques présentes dans Si sont ensuite réduites, entre autres par solidification unidirectionnelle, ce qui permet d'obtenir Si de grande pureté (environ 6N) utilisable pour les piles solaires à un coût extrêmement faible.
(JA)
 不純物を含むフラックスを加熱溶融し、この溶融フラックス中に水蒸気及び酸素のいずれか一方又は両方を含む気体を吹き込むことにより、フラックス中の不純物を低減することを特徴とするフラックスの不純物除去方法。 冶金的手法による太陽電池用高純度Siの製造に用いるフラックス中の不純物、特にBを効果的に低減することができる。本発明により得られたフラックスは、含有するBが極めて少量あるいは実質的に含有しない。従って、これを冶金的手法による太陽電池用高純度Siの製造に用いることで、Si中のBを容易、迅速、かつ多量に除去することができる。こうしてBを除去したSiに、高真空下、局所高温加熱等によりPを揮発除去し、更に一方向凝固等により、金属不純物を低減し、極めて安価に純度6N程度の太陽電池に使用可能な高純度Siとすることができる。
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