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1. (WO2010125931) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125931    国際出願番号:    PCT/JP2010/056834
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 16.04.2010
IPC:
H01L 33/42 (2010.01)
出願人: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKABE, Takehiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MASUYA, Kyosuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HODOTA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKABE, Takehiko; (JP).
MASUYA, Kyosuke; (JP).
HODOTA, Takashi; (JP)
代理人: FURUBE, Jiro; SERIO PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS, 4F Yamaguchi kensetsu No.2 Building, 4-11, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2009-111375 30.04.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor light emitting element (1) is comprised of a substrate (110) composed of sapphire; a laminated semiconductor layer (100) which is composed of a n-type semiconductor layer (140), a light emitting layer (150), and a p-type semiconductor layer (160), and is provided on the substrate (110); a first electrode (170) formed in the p-type semiconductor layer (160); and a second electrode (180) formed in the n-type semiconductor layer (140). Further, the first electrode (170) is comprised of a first conductive layer (171) which is composed of an oxide transparent conductive material, and is laminated on the p-type semiconductor layer (160); a reflection layer (172) which contains silver and is laminated on the first conductive layer (171); a second conductive layer (173) which is composed of an oxide conductive material, and is laminated on the reflection layer (172); and a coating layer (174) which is provided so as to cover the first conductive layer (171), the reflection layer (172), and the second conductive layer (173). Thus, the reduction of the light extraction efficiency is suppressed in the semiconductor light emitting element mounted by flip-chip bonding.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur (1) composé d'un substrat (110) constitué de saphir ; d'une couche semi-conductrice laminée (100) qui est composée d'une couche semi-conductrice de type n (140), d'une couche électroluminescente (150), et d'une couche semi-conductrice de type p (160), et est disposée sur le substrat (110) ; d'une première électrode (170) formée dans la couche semi-conductrice de type p (160) ; et d'une deuxième électrode (180) formée dans la couche semi-conductrice de type n (140). En outre, la première électrode (170) est composée d'une première couche conductrice (171) composée d'un matériau conducteur transparent d'oxyde, et laminée sur la couche semi-conductrice de type p (160) ; d'une couche réfléchissante (172) contenant de l'argent et laminée sur la première couche conductrice (171) ; d'une deuxième couche conductrice (173) composée d'un matériau conducteur d'oxyde, et laminée sur la couche réfléchissante (172) ; et d'une couche de revêtement (174) agencée de façon à couvrir la première couche conductrice (171), la couche réfléchissante (172), et la deuxième couche conductrice (173). Ainsi, la réduction de l'efficacité d'extraction de lumière est supprimée dans l'élément électroluminescent à semi-conducteur monté par connexion par billes.
(JA)半導体発光素子1は、サファイアからなる基板110と、n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160を含み基板110上に積層される積層半導体層100と、p型半導体層160に形成される第1の電極170と、n型半導体層140に形成される第2の電極180とを備える。また、第1の電極170は、酸化物透明導電材料にて構成されp型半導体層160に積層される第1導電層171と、銀を含み第1導電層171に積層される反射層172と、酸化物導電材料にて構成され反射層172に積層される第2導電層173と、第1導電層171、反射層172および第2導電層173を覆うように設けられる被覆層174とを備えている。このように、フリップチップにて実装される半導体発光素子における光取り出し効率の低下を抑制する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)