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1. (WO2010125918) SiC被膜を有する半導体熱処理部材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125918    国際出願番号:    PCT/JP2010/056712
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 14.04.2010
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
出願人: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAGUCHI, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMISUKI, Yoichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKASAWA, Yasuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWAGUCHI, Masanori; (JP).
KAMISUKI, Yoichi; (JP).
FUKASAWA, Yasuji; (JP)
代理人: SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
優先権情報:
2009-107932 27.04.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR HEAT TREATMENT MEMBER COMPRISING SIC FILM
(FR) ÉLÉMENT DE TRAITEMENT THERMIQUE SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN FILM SIC
(JA) SiC被膜を有する半導体熱処理部材
要約: front page image
(EN)Provided is a semiconductor heat treatment member comprising a CVD-SiC film, the member enabling a reduction in the frequency of a cleaning process and a marked improvement in the throughput of wafer treatment. Specifically provided is a semiconductor heat treatment member characterized by comprising a SiC film, wherein the surface texture of the CVD-SiC film formed on the semiconductor heat treatment member satisfies the following condition: when the values obtained by integrating the Fourier amplitude spectrum of a cross-section profile obtained by observing the CVD-SiC film with a laser microscope at 400- to 600-fold magnification within the ranges of 0.01≤ω≤0.02 and 0.05≤ω≤0.2 are taken as I1 and I2, respectively, I1 is 0.9 or more, and I1 is 0.9 or less and I2 is 1.6 or more.
(FR)L'invention porte sur un élément de traitement thermique semi-conducteur comprenant un film SiC déposé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), l'élément permettant une réduction de la fréquence d'un traitement de nettoyage et une amélioration marquée du débit du traitement de tranche. L'invention porte spécifiquement sur un élément de traitement thermique semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend un film SiC, la texture de surface du film SiC déposé par CVD formé sur l'élément de traitement thermique semi-conducteur satisfaisant la condition suivante : lorsque les valeurs obtenues par intégration du spectre d'amplitude de Fourier d'un profil en coupe transversale obtenu par observation du film SiC déposé par CVD avec un microscope laser à un grandissement de 400 à 600 fois dans les plages de 0,01 ≤ ω ≤0,02 et 0,05 ≤ω ≤ 0,2 sont appelées respectivement I1 et I2, I1 est 0,9 ou plus et I1 est 0,9 ou moins et I2 est 1,6 ou plus.
(JA) クリーニング工程の頻度を低下させ、ウェハー処理のスループットを著しく向上できるCVD-SiC被膜を有する半導体熱処理部材を提供する。 半導体熱処理部材に製膜されたCVD-SiC被膜の表面性状がCVD-SiC被膜をレーザ顕微鏡で400~600倍の倍率で観測した断面プロファイルのフーリエ振幅スペクトルを、各々0.01≦ω≦0.02と0.05≦ω≦0.2の範囲で積分した値を、それぞれ、I1とI2とし、I1が0.9以上、およびI1が0.9以下であり、かつI2が1.6以上であるSiC被膜を有することを特徴とする半導体熱処理部材を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)