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1. (WO2010125882) 横型接合型電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125882    国際出願番号:    PCT/JP2010/055403
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 26.03.2010
IPC:
H01L 21/337 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJIKAWA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAMIKAWA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUJIKAWA, Kazuhiro; (JP).
HARADA, Shin; (JP).
NAMIKAWA, Yasuo; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2009-112135 01.05.2009 JP
発明の名称: (EN) TRANSVERSE JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À JONCTION TRANSVERSALE
(JA) 横型接合型電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a transverse junction field effect transistor wherein leakage currents can be prevented and sufficient voltage-withstanding ability can be achieved. In a transverse JFET (10), a buffer layer (11) is disposed on the main surface of an SiC substrate (1) and includes p-type impurities. A channel layer (12) is disposed upon the buffer layer (11) and includes n-type impurities at a concentration higher than the concentration of p-type impurities in the buffer layer (11). An n-type source region (15) and a drain region (16) are formed separate from one another in the surface layer of the channel layer (12) and a p-type gate region (17) is positioned between the source region (15) and drain region (16) in the surface layer of the channel layer (12). A barrier region (13) is disposed in the area below the gate region (17) in the boundary region of the channel layer (12) and buffer layer (11), and contains p-type impurities at a higher concentration than the concentration of the p-type impurities in the buffer layer (11).
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ à jonction transversale dans lequel on peut empêcher une fuite de courant et obtenir une capacité suffisante pour supporter une tension. Dans un JFET transversal (10), une couche tampon (11) est positionnée sur la surface principale d'un substrat SiC (1) et comprend des impuretés de type p. Une couche de canal (12) est positionnée sur la partie supérieure de la couche tampon (11) et comprend des impuretés de type n selon une concentration supérieure à la concentration des impuretés de type p dans la couche tampon (11). Une région de source de type n (15) et une région de drain (16) sont formées avec une séparation mutuelle dans la couche de surface de la couche de canal (12), et une région de grille de type p (17) est positionnée entre la région de source (15) et la région de drain (16) dans la couche de surface de la couche de canal (12). Une région barrière (13) est agencée dans une région qui est positionnée en-dessous de la région de grille (17) dans la région limitrophe de la couche de canal (12) et de la couche tampon (11), et contient des impuretés de type p selon une concentration supérieure à la concentration des impuretés de type p dans la couche tampon (11).
(JA) 漏れ電流の発生を防止すると共に、十分な耐圧を実現することが可能な横型接合型電界効果トランジスタを提供できる。この発明に従った横型JFET(10)では、バッファ層(11)は、SiC基板(1)の主表面上に位置し、p型不純物を含む。チャネル層(12)は、バッファ層(11)上に位置し、バッファ層(11)におけるp型不純物の濃度より高い濃度のn型不純物を含む。n型のソース領域(15)およびドレイン領域(16)は、チャネル層(12)の表面層において互いに間隔を隔てて形成され、p型のゲート領域(17)は、チャネル層(12)の表面層においてソース領域(15)およびドレイン領域(16)の間に位置する。バリア領域(13)は、チャネル層(12)とバッファ層(11)との境界領域において、ゲート領域(17)の下に位置する領域に配置され、バッファ層(11)におけるp型不純物の濃度より高い濃度のp型不純物を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)