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1. (WO2010125819) 半導体素子、半導体装置および電力変換器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125819    国際出願番号:    PCT/JP2010/003062
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 28.04.2010
予備審査請求日:    24.02.2011    
IPC:
H01L 27/04 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ADACHI, Kazuhiro; (米国のみ).
KUSUMOTO, Osamu; (米国のみ).
UCHIDA, Masao; (米国のみ).
HASHIMOTO, Koichi; (米国のみ).
KAZAMA, Shun; (米国のみ)
発明者: ADACHI, Kazuhiro; .
KUSUMOTO, Osamu; .
UCHIDA, Masao; .
HASHIMOTO, Koichi; .
KAZAMA, Shun;
代理人: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
PCT/JP2009/001960 30.04.2009 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER CONVERTER
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET CONVERTISSEUR DE PUISSANCE
(JA) 半導体素子、半導体装置および電力変換器
要約: front page image
(EN)A semiconductor element (100) includes a MISFET and has reverse diode characteristics through a channel epitaxial layer (50). The semiconductor element (100) comprises a silicon carbide semiconductor substrate (10) of a first conduction type, a semiconductor layer (20) of the first conduction type, a body region (30) of a second conduction type, a source region (40) of the first conduction type, the channel epitaxial layer (50) formed contacting the body region, a source electrode (45), a gate insulating film (60), a gate electrode (65), and a drain electrode (70). When a voltage applied to the gate electrode of the MISFET is smaller than a threshold voltage, the element functions as a diode flowing current from the source electrode (45) to the drain electrode (70) through the channel epitaxial layer (50). The absolute value of the turn-on voltage of this diode is smaller than the absolute value of the turn-on voltage of a body diode comprising the body region and a first silicon carbide semiconductor layer.
(FR)L'invention porte sur un élément semi-conducteur (100) qui comprend un transistor à effet de champ métal-isolant semi-conducteur (MISFET) et a des caractéristiques de diode inverse à travers une couche épitaxiale de canal (50). L'élément semi-conducteur (100) comprend un substrat semi-conducteur de carbure de silicium (10) d'un premier type de conduction, une couche semi-conductrice (20) du premier type de conduction, une région de corps (30) d'un second type de conduction, une région de source (40) du premier type de conduction, la couche épitaxiale du canal (50) étant formée en contact avec la région de corps, une électrode de source (45), un film isolant de grille (60), une électrode de grille (65) et une électrode de drain (70). Lorsqu'une tension appliquée à l'électrode de grille du MISFET est inférieure à une tension seuil, l'élément fonctionne en tant que diode faisant circuler un courant de l'électrode de source (45) à l'électrode de drain (70) à travers la couche épitaxiale de canal (50). La valeur absolue de la tension d'activation de cette diode est inférieure à la valeur absolue de la tension d'activation d'une diode de corps comprenant la région de corps et une première couche semi-conductrice de carbure de silicium.
(JA) 本発明は、MISFETを含む半導体素子100であって、チャネルエピ層50を介した逆方向のダイオードの特性を有することを特徴とする。半導体素子100は、第1導電型の炭化珪素半導体基板10と、第1導電型の半導体層20と、第2導電型のボディ領域30と、第1導電型のソース領域40と、ボディ領域に接して形成されたチャネルエピ層50と、ソース電極45と、ゲート絶縁膜60と、ゲート電極65と、ドレイン電極70とを備える。MISFETのゲート電極に印加する電圧が閾値電圧よりも小さい場合、ソース電極45からチャネルエピ層50を介してドレイン電極70へ電流を流すダイオードとして機能する。このダイオードの立ち上がり電圧の絶対値は、前記ボディ領域と前記第1の炭化珪素半導体層とにより構成されるボディダイオードの立ち上がり電圧の絶対値よりも小さい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)