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1. (WO2010125805) 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法及び抵抗変化型不揮発性記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125805    国際出願番号:    PCT/JP2010/003015
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 27.04.2010
IPC:
G11C 13/00 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AZUMA, Ryotaro; (米国のみ).
SHIMAKAWA, Kazuhiko; (米国のみ).
MURAOKA, Shunsaku; (米国のみ).
KAWAI, Ken; (米国のみ)
発明者: AZUMA, Ryotaro; .
SHIMAKAWA, Kazuhiko; .
MURAOKA, Shunsaku; .
KAWAI, Ken;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2009-108528 27.04.2009 JP
2009-108555 27.04.2009 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR WRITING TO RESISTANCE-CHANGE NON-VOLATILE MEMORY ELEMENTS, AND RESISTANCE-CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
(FR) MÉTHODE D'ÉCRITURE DANS DES ÉLÉMENTS DE MÉMOIRE NON-VOLATILE À RÉSISTANCE VARIABLE ET MÉMOIRE NON-VOLATILE À RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法及び抵抗変化型不揮発性記憶装置
要約: front page image
(EN)Provided is a method for writing data to a resistance-change element (10a) that can reversibly transition between a high-resistance state and a low-resistance state depending on the polarity of an applied voltage. Even for a resistance-change element for which a half low-resistance state can occur, said method can restore the element to a normal low-resistance state and secure a maximum resistance-change window. The method includes: a resistance-raising write step (405) that sets the resistance-change element (10a) to a high-resistance state (401) by applying a positive voltage; resistance-lowering write steps (406 and 408) that set the resistance-change element (10a) to low-resistance states (403 and 402) by applying negative voltages; and a low-resistance stabilization write step (404) that moves the resistance-change element (10a) through a low-resistance state to a high-resistance state (401) by applying a positive voltage after a negative voltage had been applied in one of the resistance-lowering write steps (408). The abovementioned voltages are applied to an upper electrode (11), and the polarities of said voltages are given with respect to a lower electrode (14t).
(FR)L'invention porte sur une méthode d'écriture dans un élément à résistance variable (10a) pouvant passer réversiblement d'un état à haute résistance à un état à basse résistance selon la polarité de la tension qui lui est appliquée. Même pour un élément à résistance variable pouvant prendre un état de demi basse résistance, ladite méthode permet de rétablir l'élément à l'état de basse résistance normale, tout en créant une fenêtre à plage maximale de variation de résistance. La méthode comprend: une étape d'écriture en résistance croissante (405) amenant l'élément à résistance variable à un état de résistance élevée (401) en lui appliquant une tension positive; des étapes d'écriture en résistance décroissante (406 et 408) amenant l'élément à résistance variable (10a) à des états de basse résistance (403 et 402) en lui appliquant des tensions négatives; une étape d'écriture (404) à l'état de stabilisation de la basse résistance, amenant l'élément à résistance variable (10a) via l'état à basse résistance à l'état de haute résistance (401) en lui appliquant une tension positive après qu'une tension négative lui ait été appliquée dans l'une des étapes de d'écriture en résistance décroissante (408). Les tensions susmentionnées sont appliquées à une électrode supérieure (11), et leur polarité se situe par rapport à une électrode inférieure (14t).
(JA)ハーフLRの状態が出現し得る抵抗変化素子であっても、正常な低抵抗状態に修正し、抵抗変化ウィンドウを最大限確保することを可能とする抵抗変化素子の書き込み方法を提供する。 印加する電圧の極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移する抵抗変化素子(10a)に対するデータの書き込み方法であって、下部電極(14t)を基準に上部電極(11)に印加する電圧として、抵抗変化素子(10a)を高抵抗状態(401)にするために正の電圧を印加する高抵抗化書き込みステップ(405)と、抵抗変化素子(10a)を低抵抗状態(403)及び(402)にするために負の電圧を印加する低抵抗化書き込みステップ(406)及び(408)と、低抵抗化書き込みステップ(408)によって負の電圧が印加された後に正の電圧を印加することによって抵抗変化素子(10a)を、低抵抗状態を経て高抵抗状態(401)にする低抵抗安定化書き込みステップ(404)とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)