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1. WO2010125801 - ZnO-Ga系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法

公開番号 WO/2010/125801
公開日 04.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/003001
国際出願日 27.04.2010
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C04B 35/453 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01酸化物を基とするもの
453酸化亜鉛,酸化スズまたは酸化ビスマスまたはそれらと他の酸化物,例.亜鉛酸塩,スズ酸塩またはビスマス酸塩,の固溶体を基とするもの
C04B 35/64 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
622製造方法;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理方法
64焼成または焼結方法
CPC
C04B 2235/3284
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3284Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
C04B 2235/3286
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3286Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
C04B 2235/5436
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5418expressed by the size of the particles or aggregates thereof
5436micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
C04B 2235/5445
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5418expressed by the size of the particles or aggregates thereof
5445submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
C04B 2235/652
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
652Reduction treatment
C04B 2235/656
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
656characterised by specific heating conditions during heat treatment
出願人
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 長山五月 NAGAYAMA, Satsuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 里之園馨 SATONOSONO, Kaoru [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 長山五月 NAGAYAMA, Satsuki
  • 里之園馨 SATONOSONO, Kaoru
代理人
  • 大森純一 OMORI, Junichi
優先権情報
2009-11175701.05.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SINTERED BODY FOR ZNO-GA2O3 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CORPS FRITTÉ POUR CIBLE DE PULVÉRISATION DE TYPE ZNO-GA2O3 ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) ZnO-Ga系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法
要約
(EN)
Disclosed are: a sintered body for a ZnO-Ga2O3 sputtering target, which has low resistivity and is suppressed in the formation of nodules or flakes; and a method for producing the sintered body for a ZnO-Ga2O3 sputtering target. The method for producing a sintered body for a ZnO-Ga2O3 sputtering target comprises: a step of molding a powder mixture of a zinc oxide powder and gallium oxide powder; a step of housing the molded body of the powder mixture in a container (20) that is placed in a sintering furnace (10); a step of heating the molded body to a sintering temperature of not less than 1200˚C but not more than 1500˚C, while introducing oxygen into the container (20); a step of maintaining the sintering temperature, while continuing the introduction of oxygen into the container (20); and a step of decreasing the temperature within the furnace after stopping the introduction of oxygen into the container (20). Since the container (20) is heated within the furnace and has a function of uniformizing the heat distribution of the molded body, the influence of the temperature distribution within the furnace can be eliminated, thereby improving the temperature uniformity of the molded body. Consequently, a GZO sputtering target, which has low resistivity and is suppressed in the formation of nodules, can be obtained by the method.
(FR)
L'invention concerne un corps fritté pour cible de pulvérisation de type ZnO-Ga2O3 à faible résistivité et permettant de supprimer l'apparition de nodules et de paillettes, ainsi que le procédé de fabrication associé. L'invention comprend une étape consistant à former un mélange de poudre d'oxyde de zinc et de poudre d'oxyde de gallium, une étape consistant à recueillir dans un contenant (20) placé dans le four de frittage (10) l'aggloméré de mélange de poudre, une étape consistant à augmenter la température de l'aggloméré à une température de frittage supérieure ou égale à 1200 ℃ et inférieure ou égale à 1500 ℃ tout en introduisant de l'oxygène à l'intérieur du contenant (20), une étape consistant à maintenir la température de frittage tout en continuant à introduire de l'oxygène à l'intérieur du contenant (20) et une étape consistant à baisser la température à l'intérieur du four, après interruption de l'introduction de l'oxygène à l'intérieur du contenant (20). Le contenant (20) est chauffé à l'intérieur du four et, comme il possède la fonction d'uniformiser la répartition de la température de l'aggloméré, permet d'éviter l'influence de la distribution de la température dans le four et d'augmenter l'uniformité de température de l'aggloméré. Ainsi, on peut obtenir une cible de pulvérisation GZO à faible résistivité et qui permet de supprimer l'apparition de nodules.
(JA)
【課題】抵抗率が低く、ノジュールやフレークの発生を抑制できるZnO-Ga系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明は、酸化亜鉛粉末と酸化ガリウム粉末との混合粉末を成形する工程と、混合粉末の成形体を、焼結炉10内に設置される容器20の中に収容する工程と、容器20の内部に酸素を導入しながら成形体を1200℃以上1500℃以下の焼結温度に昇温させる工程と、容器20の内部に酸素が導入された状態で焼結温度を保持する工程と、容器20の内部への酸素の導入が停止された状態で炉内を降温させる工程とを有する。容器20は、炉内で加熱され、成形体の熱分布を均一化する機能を有するので、炉内の温度分布による影響を排除でき、成形体の均熱性を高めることができる。これにより、低抵抗で、ノジュールの発生を抑制できるGZOスパッタリングターゲットが得られる。
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