WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2010125780) 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125780    国際出願番号:    PCT/JP2010/002943
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 23.04.2010
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATAYAMA, Koji; (米国のみ).
TAKAGI, Takeshi; (米国のみ)
発明者: KATAYAMA, Koji; .
TAKAGI, Takeshi;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2009-111517 30.04.2009 JP
発明の名称: (EN) NONVOLATILE STORAGE ELEMENT AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATIL ET MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置
要約: front page image
(EN)Provided is a nonvolatile storage element which has less operational fluctuation and is capable of stable operation. The nonvolatile storage element is provided with: a first electrode (102); a second electrode (106); a variable resistance layer (105), which is formed between both the electrodes (102, 106), is connected to both the electrodes (102, 106) and reversibly transits between a high resistance state and a low resistance state, corresponding to the polarity of a voltage applied between both the electrodes (102, 106); and a fixed resistance layer (104), which is formed between both the electrodes (102, 106), is electrically connected in parallel with at least a part of the variable resistance layer (105), and has a resistance value within the range of 0.1 to 10 times the resistance value of the variable resistance layer (105) in the high resistance state.
(FR)L'invention porte sur un élément de mémoire non volatil qui présente moins de fluctuations de fonctionnement et qui est capable d'un fonctionnement stable. L'élément de mémoire non volatil est pourvu : d'une première électrode (102) ; d'une seconde électrode (106) ; d'une couche à résistance variable (105) qui est formée entre les deux électrodes (102, 106), qui est connectée aux deux électrodes (102, 106) et qui passe de façon réversible entre un état de résistance élevée et un état de résistance faible, correspondant à la polarité d'une tension appliquée entre les deux électrodes (102, 106), et d'une couche à résistance fixe (104) qui est formée entre les deux électrodes (102, 106), qui est électriquement connectée en parallèle avec au moins une partie de la couche à résistance variable (105), et qui présente une valeur de résistance dans la plage de 0,1 à 10 fois la valeur de la résistance de la couche à résistance variable (105) dans l'état de résistance élevée.
(JA)動作ばらつきが小さく、かつ、安定な動作が可能な不揮発性記憶素子を提供する。その不揮発性記憶素子は、第1の電極(102)と、第2の電極(106)と、それら両電極(102及び106)間に介在して形成され、かつ、両電極(102及び106)に接続され、両電極(102及び106)間に印加する電圧の極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移する抵抗変化層(105)と、両電極(102及び106)間に介在して形成され、かつ、抵抗変化層(105)の少なくとも一部と電気的に並列接続され、その抵抗値が抵抗変化層(105)が高抵抗状態にある場合の抵抗値の0.1から10倍の範囲にある固定抵抗層(104)とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)