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1. (WO2010125754) 複合荷電粒子線装置

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125754    国際出願番号:    PCT/JP2010/002680
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 14.04.2010
H01J 37/28 (2006.01), H01J 37/244 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
出願人: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AGEMURA, Toshihide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOMAGUCHI, Tsunenori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AGEMURA, Toshihide; (JP).
NOMAGUCHI, Tsunenori; (JP)
代理人: INOUE, Manabu; C/O HITACHI,LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
2009-108646 28.04.2009 JP
(JA) 複合荷電粒子線装置
要約: front page image
(EN)A composite charged particle radiation device which observes the cross section or end surface of a sample (5) processed by an ion beam (1b) using an electron beam (2b) comprises a detector (7) capable of detecting a low loss backscattered electron (12) including an elastically scattered electron (11) induced by the electron beam (2b) which is irradiated to the cross section or end surface of the sample (5). And, the detector (7) is desirably disposed in the space on the outside of an electron beam column (2a). Consequently, SEM-observation can be applied to the surface information relating to the materials or composition of the FIB-processed cross section or end surface of the sample at high resolution and at low damage. Furthermore, when the low loss backscattered electron (12) is detected, information relating to the different depths relative to the surface of the sample has been made available by selecting the energy band of the detected electron.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de rayonnement de particules composites chargées qui observe la coupe transversale ou la surface d'extrémité d'un échantillon (5) traité par un faisceau d'ions (1b) à l'aide d'un faisceau d'électrons (2b). Ledit dispositif comporte un détecteur (7) pouvant détecter un électron rétro diffusé à faible perte (12) comprenant un électron élastiquement diffusé (11) induit par le faisceau d'électrons (2b) qui est irradié vers la coupe transversale ou la surface d'extrémité de l'échantillon (5). En outre, le détecteur (7) est disposé de façon favorable dans l'espace, sur l'extérieur d'une colonne de faisceau d'électrons (2a). Par conséquent, il est possible d'appliquer une observation par microscope électronique à balayage aux informations de surface ayant trait aux matériaux ou à la composition de la coupe transversale ou à la surface d'extrémité de l'échantillon traitée par faisceau ionique focalisé, avec une résolution élevée et peu de dégradation. De plus, lorsque l'électron rétro diffusé à faible perte est détecté (12), les informations concernant les différentes profondeurs relatives à la surface de l'échantillon sont rendues disponibles par la sélection de la bande d'énergie de l'électron détecté.
(JA) 本発明のイオンビーム(1b)により加工された試料(5)断面や端面を電子ビーム(2b)により観察する複合荷電粒子線装置は、試料(5)断面や端面に照射される電子ビーム(2b)によって誘起された弾性散乱電子(11)を含む低エネルギー損失後方散乱電子(12)を検出することができる検出器(7)を備えることを特徴とする。そして、該検出器(7)は、電子ビームカラム(2a)の外の空間に設置されていることが望ましい。 これにより、試料のFIB加工断面や端面の材料や組成の表面情報を、高分解能、かつ低ダメージでSEM観察することが可能になった。更に、低エネルギー損失後方散乱電子(12)を検出する際に、検出電子のエネルギーバンドを選択することにより、試料表面に対して異なる深さの情報を得ることも可能になった。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)