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1. WO2010125739 - シリカ容器及びその製造方法

公開番号 WO/2010/125739
公開日 04.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/002026
国際出願日 23.03.2010
IPC
C03B 20/00 2006.01
C化学;冶金
03ガラス;鉱物またはスラグウール
Bガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形;または、ガラス、鉱物またはスラグウールの製造または成形における補助プロセス
20石英または溶融シリカ物品の製造に特に適合したプロセス
C30B 15/10 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
10融液を支持するためのるつぼまたは容器
C30B 29/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
CPC
C03B 19/09
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
19Other methods of shaping glass
09by fusing powdered glass in a shaping mould
C03B 19/095
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
19Other methods of shaping glass
09by fusing powdered glass in a shaping mould
095by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
C30B 15/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
10Crucibles or containers for supporting the melt
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 35/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
002Crucibles or containers
Y02P 40/57
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
40Technologies relating to the processing of minerals
50Glass production
57Reduction of reject rates; Improving the yield
出願人
  • 信越石英株式会社 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山形茂 YAMAGATA, Shigeru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 笛吹友美 USUI, Tomomi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 山形茂 YAMAGATA, Shigeru
  • 笛吹友美 USUI, Tomomi
代理人
  • 好宮幹夫 YOSHIMIYA, Mikio
優先権情報
2009-10926228.04.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICA VESSEL AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) CUVE DE SILICE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) シリカ容器及びその製造方法
要約
(EN)
A process for producing a silica vessel which comprises: a step in which an aluminum compound or a crystal nucleator is added to a first raw material powder, which is silica particles, thereby giving a mixture powder; a step in which the mixture powder is fed to the inner wall of an outer mold having holes for evacuation, while rotating the outer mold, thereby preforming the mixture powder into a given shape; a step in which the preform is degassed by evacuation from the periphery side and, simultaneously therewith, the preform is heated to a high temperature from the inner side thereof to convert the peripheral part of the preform into a sintered object and the inner part into a molten glass object and thereby form a silica base; and a step in which while spraying a second raw material powder, which has a higher silica purity than the first raw material powder, from the inner side of the silica base, the silica base is heated to a high temperature from the inner side to thereby form a transparent silica glass layer on the inner surface of the silica base. Thus, a silica vessel having high dimensional accuracy and high durability and reduced in gas emission is produced from inexpensive and relatively low-grade silica powders as the main raw material at low cost using a small amount of energy.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de production d'une cuve de silice qui comprend : une étape dans laquelle un composé de l'aluminium ou un nucléateur cristallin est ajouté à une première poudre de matériau brut, c'est-à-dire des particules de silice, produisant ainsi un mélange de poudres ; une étape dans laquelle le mélange de poudres est chargé dans la paroi interne d'un moule externe ayant des trous pour l'évacuation, tout en faisant tourner le moule externe, donnant ainsi au mélange de poudres une forme déterminée ; une étape dans laquelle la préforme est dégazée par évacuation à partir de la périphérie et, simultanément à ceci, la préforme est chauffée jusqu'à une température élevée à partir du côté interne de celle-ci de sorte à convertir la partie périphérique de la préforme en un objet fritté et la partie interne en un objet en verre fondu et former ainsi une base de silice ; et une étape dans laquelle, tout en pulvérisant une seconde poudre de matériau brut, qui a une pureté de silice plus élevée que la première poudre de matériau brut, à partir du côté interne de la base de silice, la base de silice est chauffée jusqu'à une température élevée à partir du côté interne de sorte à former ainsi une couche de verre de silice transparente sur la surface interne de la base de silice. Ainsi, une cuve de silice ayant une exactitude dimensionnelle et une durabilité élevées et des émissions gazeuses réduites est produite à partir de poudres de silice de qualité relativement faible comme principal produit brut à faible coût en utilisant une faible quantité d'énergie.
(JA)
 本発明は、シリカ粒子である第一の原料粉にAl化合物又は結晶核剤を添加して混合粉とする工程、減圧用の孔を有する外型枠を回転させながら、外型枠の内壁に混合粉を導入して所定形状に仮成形する工程、仮成形体を外周側から減圧して脱ガスするとともに、仮成形体の内側から高温加熱することによって、仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに内側部分を溶融ガラス体としたシリカ基体を形成する工程、シリカ基体の内側から、第一の原料粉よりもシリカ純度が高い第二の原料粉を散布しつつ、内側から高温加熱することによって、シリカ基体の内表面に透明シリカガラス層を形成する工程を含むシリカ容器の製造方法である。これにより、高寸法精度、高耐久性、低放出ガス性のシリカ容器を、安価な比較的低品位のシリカ粉体を主原料として、投入エネルギー量を少なく、低コストで製造するためのシリカ容器の製造方法が提供される。
関連公開情報:
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