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1. (WO2010125674) SiC基板の作製方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125674    国際出願番号:    PCT/JP2009/058474
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 30.04.2009
IPC:
C30B 19/04 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01)
出願人: ECOTRON CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HAMADA, Shinkichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Nobuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUNAMI, Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HAMADA, Shinkichi; (JP).
NAKAMURA, Nobuhiko; (JP).
MATSUNAMI, Toru; (JP)
代理人: JODAI, Tetsuji; 601 Newlife Koraibashi, 3-32, Higashikoraibashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400039 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR FABRICATING SiC SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SiC
(JA) SiC基板の作製方法
要約: front page image
(EN)A method for fabricating a SiC substrate using metastable solvent epitaxy comprises a Si evaporation step of evaporating a Si melt at an intermediate temperature between a SiC crystal growth temperature and a Si melting point after a crystal growth step of growing an SiC crystal with a predetermined film thickness on the surface of the SiC substrate at the SiC crystal growth temperature. In the method for fabricating the SiC substrate, the ambient pressure in the crystal growth step is higher than the saturated vapor pressure of the Si melt, and the ambient pressure in the Si evaporation step is lower than the saturated vapor pressure of the Si melt. Single-crystal SiC with no large irregularities on the surface thereof can be obtained by using the method.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un substrat de SiC utilisant une épitaxie en solvant métastable, qui comprend une étape d'évaporation de Si consistant à faire évaporer une masse fondue de Si à une température intermédiaire entre une température de croissance cristalline de SiC et un point de fusion de Si après une étape de croissance cristalline consistant à faire croître un cristal de SiC avec une épaisseur de film prédéterminée sur la surface du substrat de SiC à la température de croissance cristalline de SiC. Dans le procédé de fabrication du substrat de SiC, la pression ambiante à l'étape de croissance cristalline est supérieure à la vapeur de pression saturée de la masse fondue de Si, et la pression ambiante à l'étape d'évaporation de Si est inférieure à la pression de vapeur saturée de la masse fondue de Si. Du SiC monocristallin sans irrégularités importantes sur sa surface peut être obtenu à l'aide du procédé.
(JA) 準安定溶媒エピタキシャル法を用いたSiC基板の作製方法であって、SiC結晶成長温度で、SiC基板の表面に所定の膜厚のSiC結晶を成長させる結晶成長工程の後に、SiC結晶成長温度とSi融点の中間の温度で、Si融液を蒸発させるSi蒸発工程を有しているSiC基板の作製方法。結晶成長工程における雰囲気圧力がSi融液の飽和蒸気圧よりも高く、Si蒸発工程における雰囲気圧力がSi融液の飽和蒸気圧よりも低いSiC基板の作製方法。前記の方法により、表面に大きな凹凸を有しない単結晶SiCが得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)