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1. (WO2010125641) トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2010/125641    国際出願番号:    PCT/JP2009/058335
国際公開日: 04.11.2010 国際出願日: 28.04.2009
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
出願人: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHNO, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEDA, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAYAKAWA, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHNO, Hideo; (JP).
IKEDA, Shoji; (JP).
HAYAKAWA, Jun; (JP).
YAMAMOTO, Hiroyuki; (JP)
代理人: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) TUNNELING MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND RANDOM ACCESS MEMORY USING THE ELEMENT
(FR) ELÉMENT À EFFET TUNNEL À RÉSISTANCE MAGNÉTIQUE, ET CELLULE DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE VIVE UTILISANT L'ÉLÉMENT
(JA) トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ
要約: front page image
(EN)Provided is a nonvolatile magnetic memory including a tunneling magnetic resistance effect element of a high output, to which a recording layer of a high heat stability is applied, and a writing method of a spin transfer torque is applied to the nonvolatile magnetic memory.  The tunneling magnetic resistance effect element (1) is constituted to have a magnetically recording layer made of a body-centered cubic structure containing Co, Fe and B and including a first ferromagnetic layer (303), a second ferromagnetic layer (301), a first non-magnetic film (302), a first diffusion layer (3022) and a second diffusion layer (3021), and to have a magnetically fixed layer (3051) laminated on the magnetically recording layer through a MgO insulating film (304) having a rock salt structure of a (100) orientation.
(FR)L'invention concerne une mémoire magnétique non volatile comprenant un élément à effet tunnel à résistance magnétique à haut rendement, sur laquelle une couche d'enregistrement à stabilité thermique élevée est appliquée, et un procédé d'écriture d'un couple de transfert de rotation qui est appliqué à la mémoire magnétique non volatile. L'élément à effet tunnel à résistance magnétique (1) est constitué pour comporter une couche d'enregistrement magnétique constituée d'une structure cubique centrée contenant du Co, du Fe et du B et comprenant une première couche ferromagnétique (303), une deuxième couche ferromagnétique (301), un premier film non magnétique (302), une première couche de diffusion (3022) et une deuxième couche de diffusion (3021), et pour comporter une couche fixée de façon magnétique (3051) laminée sur la couche d'enregistrement magnétique à travers un film isolant de MgO (304) ayant une structure de sel gemme d'une orientation (100).
(JA) 不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ記録層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子1は、CoとFeとBを含有する体心立方構造の第一の強磁性層303と第二の強磁性層301と第一の非磁性膜302と第一の拡散層3022と第二の拡散層3021で構成される磁気記録層を持ち、磁気記録層に(100)配向した岩塩構造のMgO絶縁膜304を介して磁気固定層3051を積層した構造を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)