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1. WO2010125608 - 放射線検出器

公開番号 WO/2010/125608
公開日 04.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/001958
国際出願日 30.04.2009
IPC
G01T 1/24 2006.01
G物理学
01測定;試験
T原子核放射線またはX線の測定
1X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16放射線強度の測定
24半導体検出器をもつもの
H01L 27/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 31/09 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
09赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
CPC
H01L 27/14659
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14658X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
14659Direct radiation imagers structures
H01L 31/02005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
02005for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
出願人
  • 株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鈴木準一 SUZUKI, Junichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 佐藤賢治 SATO, Kenji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 岸本栄俊 KISHIMOTO, Hidetoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鈴木準一 SUZUKI, Junichi
  • 佐藤賢治 SATO, Kenji
  • 岸本栄俊 KISHIMOTO, Hidetoshi
代理人
  • 杉谷勉 SUGITANI, Tsutomu
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RADIATION DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE RADIATION
(JA) 放射線検出器
要約
(EN)
In a radiation detector, a common electrode (3) for applying a bias voltage and a lead (4) for supplying a bias voltage are connected to each other through a conductive plate (5a) in the form of a planar plate member.  Since the lead (4) is not directly connected onto the common electrode (3), and the conductive plate (5a) is connected thereonto, a radiation sensitive semiconductor (2) is prevented from being damaged, and the lowering of the performance thereof can be avoided.  Since the conductive plate (5a) is formed in a planar shape, even if a conductive paste with high resistance is used, a connection resistance can be reduced, which is approximately the same as that when a silver paste is used.  Namely, the freedom of choice of a conductive paste can be increased.  Since the connection is enabled without using an isolated pedestal, the lowering of the performance can be avoided.  Consequently, the lowering of the performance can be avoided without using the isolated pedestal.
(FR)
La présente invention concerne un détecteur de radiation, dans lequel une électrode commune (3) pour appliquer une tension de polarisation et un conducteur (4) pour fournir une tension de polarisation sont connectés l'un à l'autre via une plaque conductrice (5a) se présentant sous la forme d'un élément de plaque plane. Etant donné que le conducteur (4) n'est pas directement connecté sur l'électrode commune (3), et que la plaque conductrice (5a) est connectée dessus, on empêche l'endommagement d'un semi-conducteur sensible aux radiations (2), ce qui permet d'éviter une baisse de ses performances. Etant donné que la plaque conductrice (5a) a une forme plane, même si on utilise une pâte conductrice de résistance élevée, il est possible de réduire une résistance de connexion, laquelle est approximativement la même que lorsqu'une pâte d'argent est utilisée. Ainsi, il y a une plus grande liberté de choix concernant la pâte conductrice. Etant donné que la connexion est possible sans utiliser un socle isolé, la baisse des performances peut être évitée. En conséquence, on peut éviter une baisse de performances sans utiliser le socle isolé.
(JA)
 この発明の放射線検出器によれば、面状に形成された板材として導板5aを介在させて、バイアス電圧印加用の共通電極3とバイアス電圧給電用のリード線4とを接続する。共通電極3の上にリード線4が直接に接続されずに、導板5aが接続されるので、放射線感応型の半導体2に損傷を与えるのを防止することができ、性能低下を回避することができる。また、導板5aが面状に形成されているので、たとえ抵抗値が高い導電ペーストを用いたとしても、接続抵抗を下げることができ、銀ペーストを使用したときと同程度になる。つまり、導電ペーストの選択の幅が広がることになる。また、絶縁性の台座を使用せずに接続が可能で、性能低下を回避することができる。その結果、絶縁性の台座を用いることなく、性能低下を回避することができる。
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