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1. WO2010125607 - 放射線検出器およびその製造方法

公開番号 WO/2010/125607
公開日 04.11.2010
国際出願番号 PCT/JP2009/001957
国際出願日 30.04.2009
IPC
G01T 1/24 2006.01
G物理学
01測定;試験
T原子核放射線またはX線の測定
1X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16放射線強度の測定
24半導体検出器をもつもの
H01L 27/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 31/09 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
09赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
CPC
H01L 31/02005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
02005for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/085
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
085the device being sensitive to very short wavelength, e.g. X-ray, Gamma-rays
出願人
  • 株式会社島津製作所 SHIMADZU CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鈴木準一 SUZUKI, Junichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 吉牟田利典 YOSHIMUTA, Toshinori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 古井真悟 FURUI, Shingo [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鈴木準一 SUZUKI, Junichi
  • 吉牟田利典 YOSHIMUTA, Toshinori
  • 古井真悟 FURUI, Shingo
代理人
  • 杉谷勉 SUGITANI, Tsutomu
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RADIATION DETECTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) DÉTECTEUR DE RADIATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 放射線検出器およびその製造方法
要約
(EN)
In a radiation detector, a cable (4A) and a common electrode (3) are not directly connected, but indirectly connected to each other through a conductor (here, the single line (4B)) by connecting the common electrode (3) and the single line (4B) formed thinner than the cable (4A) in the thickness direction to each other, and by connecting the single line (4B) and the cable (4A) to each other at a portion other than a semiconductor (2).  Since the single line (4B) is thinner than the cable (4A) in the thickness direction, the single line (4B) thinner than the cable (4A) in the thickness direction is connected to the common electrode (3).  Consequently, the connecting operation can be easily performed, and damage to and stress in the semiconductor (2) and the common electrode (3) can be avoided.
(FR)
La présente invention concerne un détecteur de radiation, dans lequel un câble (4A) et une électrode commune (3) ne sont pas directement connectés, mais indirectement connectés l'un à l'autre via un conducteur (ici, la ligne unique (4B)), en connectant l'une à l'autre l'électrode commune (3) et la ligne unique (4B) formée de façon à être plus mince que le câble (4A) dans le sens de l'épaisseur, et en connectant l'un à l'autre la ligne unique (4B) et le câble (4A) sur une partie autre qu'un semi-conducteur (2). Etant donné qu'elle est plus mince que le câble (4A) dans le sens de l'épaisseur, la ligne unique (4B) plus mince que le câble (4A) dans le sens de l'épaisseur est connectée à l'électrode commune (3). En conséquence, l'opération de connexion peut être facilement réalisée, évitant dommage et contrainte sur le semi-conducteur (2) et l'électrode commune (3).
(JA)
 この発明の放射線検出器によれば、ケーブル4Aを共通電極3に直接に接続せずに、共通電極3とケーブル4Aよりも厚み方向に薄く形成された導体(ここでは単線4B)とを接続し、半導体2以外の箇所で単線4Bとケーブル4Aとを接続することで、単線4Bを介してケーブル4Aと共通電極3とを間接的に接続する。単線4Bはケーブル4Aよりも厚み方向に薄く形成されているので、ケーブル4Aよりも厚み方向に薄い単線4Bで共通電極3に接続することになり、接続作業が行いやすく、半導体2や共通電極3への損傷の発生や応力を回避することができる。
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