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1. WO2010122928 - グラフェン膜の作製方法

公開番号 WO/2010/122928
公開日 28.10.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/056653
国際出願日 14.04.2010
IPC
C01B 31/04 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
31炭素;その化合物
02炭素の製造;精製
04黒鉛
C01B 31/36 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
31炭素;その化合物
30炭化物
36炭化けい素または炭化ほう素
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C01B 2204/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
2204Structure or properties of graphene
04Specific amount of layers or specific thickness
C01B 32/186
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
182Graphene
184Preparation
186by chemical vapour deposition [CVD]
出願人
  • 国立大学法人九州工業大学 KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 中尾 基 NAKAO, Motoi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 種平 貴文 TANEHIRA, Takafumi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 中尾 基 NAKAO, Motoi
  • 種平 貴文 TANEHIRA, Takafumi
代理人
  • 前田 純博 MAEDA, Sumihiro
優先権情報
2009-10719625.04.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR FORMING GRAPHENE FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE GRAPHÈNE
(JA) グラフェン膜の作製方法
要約
(EN)
Disclosed is a method for forming a graphene film, wherein a film of a metal M reactive with a carbide, such as an Si film, which is formed on an insulating layer that is formed from a substance not reactive with carbon, such as an Si/SiO2 insulating layer, is carbonized with a hydrocarbon gas such as an ethylene gas, thereby modifying the Si film into a film of SiC that is a reaction product, and a graphene film is formed on the SiC film. By using a material/process based on an Si substrate or the like, a high quality graphene film can be produced. A substrate comprising the graphene film is applicable to many devices.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de formation d'un film de graphène, suivant lequel un film d'un métal M apte à réagir avec un carbure, tel qu'un film de Si, qui est formé sur une couche isolante qui est formée à partir d'une substance ne réagissant pas avec le carbone, telle qu'une couche isolante de Si/SiO2, est carbonisé par un hydrocarbure gazeux tel que l'éthylène gazeux, permettant ainsi de modifier le film de Si en un film de SiC qui est un produit de réaction, et un film de graphène est formé sur le film de SiC. A l'aide d'une matière/d'un procédé basé sur un substrat de Si ou similaire, un film de graphène de haute qualité peut être obtenu. Un substrat comprenant le film de graphène est applicable à de nombreux dispositifs.
(JA)
炭素と反応しない物質からなる層、例えば、Si/SiO等の絶縁層上に形成された、炭化物と反応する金属Mの膜、例えば、Si膜を、エチレン等の炭化水素ガスで炭化処理し、このSi膜を反応生成物SiCの膜に変性させると共に、このSiCの膜上にグラフェン膜を形成せしめることからなるグラフェン膜の作製方法。Si基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を作製することができる。かかるグラフェン膜を有する基板は、多くのデバイスへの適用が可能である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報