(EN) Provided is a semiconductor device wherein dissipation of heat generated from a semiconductor element to a supporting body is improved, while ensuring sufficient bonding strength between the semiconductor element and a supporting board. The semiconductor device is provided with: the supporting board; an electrode surface processing layer formed on the supporting board; the semiconductor element; and a solder material wherein second metal particles, which have a melting point higher than that of a first metal having Bi as a main component, are contained in the first metal, and bonds together the electrode surface processing layer and the semiconductor element. In the solder material region which corresponds to the center portion of the semiconductor element, the composition ratio of the second metal is higher than that of the first metal, and in the region outside of the region that corresponds to the center portion, the composition ratio of the first metal is higher than that of the second metal, and the composition ratio of the second metal in the region that corresponds to the center portion is 83.8 atom % or higher.
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur présentant une meilleure dissipation dans un corps support de la chaleur produite par un élément semi-conducteur, tout en garantissant une cohésion suffisante entre l'élément semi-conducteur et la plaque support. Ce dispositif semi-conducteur comporte: la plaque support; une couche superficiellement traitée en électrode réalisée sur la plaque support; l'élément semi-conducteur; et un matériau de soudure, qui est fait d'un premier métal essentiellement à base de bismuth, contenant des particules d'un second métal dont le point de fusion est supérieur à celui dudit premier métal dont le constituant principal est le bismuth, et qui fait tenir l'élément semi-conducteur à la couche superficiellement traitée en électrode. Dans la zone du matériau de soudure qui correspond à la partie centrale de l'élément semi-conducteur, le second métal est présent dans une proportion supérieure à celle du premier métal, alors que dans la zone extérieure à la zone correspondant à la partie centrale, le premier métal est présent dans une proportion supérieure à celle du second métal, la proportion atomique de second métal présent dans la zone correspondant à la zone centrale étant d'au moins 83,8 %.
(JA) 本発明は、半導体素子と支持板との十分な接合強度を確保しつつ、半導体素子からの発熱の支持体への放熱性を向上させる半導体装置を提供することを課題とする。本発明に係る半導体装置は、支持板と、前記支持板上に形成された電極表面処理層と、半導体素子と、Biを主成分とする第1金属の内部に前記第1金属よりも融点が高い第2金属の粒子を含有しており、前記電極表面処理層と前記半導体素子とを接合するはんだ材料と、を備え、前記はんだ材料の前記半導体素子の中央部に対応する領域では前記第1金属よりも前記第2金属の組成比率が高く、前記中央部に対応する領域の外側の領域では前記第2金属よりも前記第1金属の組成比率が高く、前記中央部に対応する領域内での前記第2金属の組成比率が83.8原子%以上である。