(EN) Provided is a silver material which is highly suitable for mass production and has a crystalline structure capable of allowing the best performance of an electronic component or device. After the final plastic processing of a silver material, a heat treatment is carried out at least either in vacuo, in an inert gas atmosphere or in a reducing gas atmosphere until just before the silver material begins to melt to thereby form a recrystallized tissue. In this recrystallized tissue, which comprises a single crystal, crystal grains become larger than in a 4N silver material having an electrical conductivity of 106 (%) or less and have a lower grain boundary density per unit volume than the 4N silver material.
(FR) L'invention porte sur un matériau à base d'argent qui est hautement approprié pour une fabrication en série et présente une structure cristalline capable de permettre la meilleure performance d'un composant ou dispositif électronique. Après le traitement plastique final d'un matériau à base d'argent, un traitement thermique est effectué au moins dans l'une des conditions suivantes : sous vide, dans une atmosphère de gaz inerte ou dans une atmosphère de gaz réducteur, jusqu'à juste avant que le matériau à base d'argent ne commence à fondre, formant par là un tissu recristallisé. Dans ce tissu recristallisé, qui comprend des monocristaux, les grains cristallins sont plus grands que dans un matériau à base d'argent 4N ayant une conductivité électrique de 106 (%) ou moins et ont une densité des joints de grains par unité de volume inférieure à celle du matériau à base d'argent 4N.
(JA) 量産性に優れ、電子部品あるいは機器の性能を最大限に発揮させる属性を持つ結晶構造を有する銀材を提供する。 銀素材に対する最終の塑性加工を経た後に、真空、不活性ガス、及び還元ガスの少なくともいずれかの雰囲気で、当該銀素材が溶ける直前まで行われた熱処理により、再結晶組織が形成されている。再結晶組織は単結晶化しており、その結晶粒の大きさは、導電率１０６［％］以下の４Ｎ銀材よりも粗大化し、且つ、４Ｎ銀材に比べて単位体積あたりの結晶粒界密度が少い。