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1. WO2010116767 - 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法

公開番号 WO/2010/116767
公開日 14.10.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/002629
国際出願日 09.04.2010
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
CPC
H01L 21/67132
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
H01L 21/6835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
H01L 21/6836
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
H01L 21/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
H01L 2221/68322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
68322Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
H01L 2221/68327
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68327used during dicing or grinding
出願人
  • パナソニック株式会社 Panasonic Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 有田潔 ARITA, Kiyoshi (UsOnly)
  • 西中輝明 NISHINAKA, Teruaki (UsOnly)
発明者
  • 有田潔 ARITA, Kiyoshi
  • 西中輝明 NISHINAKA, Teruaki
代理人
  • 小栗昌平 OGURI, Shohei
優先権情報
2009-09580110.04.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP WITH RESIN ADHESIVE LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT, PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE, ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE PRÉSENTANT UNE COUCHE ADHÉSIVE DE RÉSINE
(JA) 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法
要約
(EN)
Disclosed is a method for processing a substrate, by which a mask for etching that uses plasma processing can be formed at low cost. Also disclosed is a method for producing a semiconductor chip. When a mask, which is used for plasma dicing wherein a semiconductor wafer (1) is divided into separate semiconductor chips (1e) by etching that uses plasma processing, is formed, a liquid repellent pattern composed of a liquid repellent films (3, 3e) is formed by applying a liquid repellent liquid to outline regions in a back surface (1b) of the semiconductor wafer (1), said outline regions are formed with a predetermined width along scribe lines (1c) and the outer edge. Then, a liquid resin is supplied to the back surface (1b), thereby forming a resin film (4), which has a larger film thickness than the liquid repellent film (3), in the regions where the liquid repellent film (3) is not present. After that, the resin film (4) is cured, thereby forming a mask (4*) that covers regions other than the regions to be removed by etching. Consequently, a mask for etching can be formed at low cost without using a high-cost method such as a photolithography method.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat permettant de former à faible coût un masque destiné à la gravure faisant intervenir un traitement au plasma. L'invention concerne également un procédé pour produire une puce semi-conductrice. Lors de la formation d'un masque utilisé pour un découpage en dés par plasma dans lequel une plaquette semi-conductrice (1) est divisée en puces semi-conductrices séparées (1e) par un procédé de gravure faisant intervenir un traitement au plasma, un motif pour repousser les liquides constitué de films (3, 3e) pour repousser les liquides est formé par une application de liquide pour repousser les liquides destinée à délimiter les zones sur une surface arrière (1b) de la plaquette semi-conductrice (1), les zones délimitées étant formées avec une largeur prédéterminée le long de lignes de séparation (1c) et du bord extérieur. Puis, une résine liquide est appliquée sur la surface arrière (1b), ce qui permet de former un film de résine (4) qui présente une épaisseur supérieure à celle du film (3) pour repousser les liquides, dans les zones dans lesquelles le film (3) pour repousser les liquides n'est pas présent. Ensuite, le film de résine (4) durcit, ce qui permet de former un masque (4*) qui couvre les zones autres que les zones à supprimer par gravure. Par conséquent, l'invention permet de former un masque destiné à la gravure à faible coût, sans utiliser de procédés coûteux comme un procédé photolithographique.
(JA)
 プラズマ処理を用いたエッチングのためのマスクを低コストで形成することができる基板の加工方法および半導体チップの製造方法を提供する。 半導体ウェハ1をプラズマ処理を用いたエッチングによって個片の半導体チップ1eに分割するプラズマダイシング用のマスク形成において、半導体ウェハ1の裏面1bにおいてスクライブライン1cおよび外縁に沿って所定幅で設定された輪郭部に撥液性の液体を印刷して撥液膜3,3eより成る撥液パターンを形成し、裏面1bに液状の樹脂を供給して撥液膜3の存在しない領域にこの撥液膜3の厚みよりも厚い膜厚の樹脂膜4を形成し、さらにこの樹脂膜4を硬化させてエッチングにおいて除去される領域以外を覆うマスク4*を形成する方法を採用する。これによりフォトリソグラフィ法などの高コストの方法を用いることなく、エッチングのためのマスクを低コストで形成することができる。
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