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1. WO2010116701 - 半導体基板の製造方法および半導体基板

公開番号 WO/2010/116701
公開日 14.10.2010
国際出願番号 PCT/JP2010/002450
国際出願日 02.04.2010
IPC
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/331 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
328バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程
33装置が3つ以上の電極からなるもの
331トランジスタ
H01L 21/338 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
338ショットキーゲートを有するもの
H01L 29/737 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70バイポーラ装置
72トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
73バイポーラ接合トランジスタ
737ヘテロ接合トランジスタ
H01L 29/778 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
778二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
H01L 29/812 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
80PN接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの
812ショットキーゲートを有するもの
CPC
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/02395
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02395Arsenides
H01L 21/02463
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02463Arsenides
H01L 21/02543
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02543Phosphides
H01L 21/02546
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02546Arsenides
H01L 21/02576
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02576N-type
出願人
  • 住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 西川 直宏 NISHIKAWA, Naohiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中野 強 NAKANO, Tsuyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 井上 孝行 INOUE, Takayuki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 西川 直宏 NISHIKAWA, Naohiro
  • 中野 強 NAKANO, Tsuyoshi
  • 井上 孝行 INOUE, Takayuki
代理人
  • 龍華国際特許業務法人 RYUKA IP Law Firm
優先権情報
2009-09344307.04.2009JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の製造方法および半導体基板
要約
(EN)
Provided is a method for producing a semiconductor substrate suitable for the formation of multiple different types of devices, such as an HBT and FET, on a single semiconductor substrate, wherein multiple semiconductor substrates are produced by repeating multiple steps that include a step for introducing a first impurity gas comprising as a structural element first impurity atoms, alone or in the form of a compound, into a reactor in which semiconductor crystals are grown. The method for producing a semiconductor substrate comprises steps that follow the step for introducing a first impurity gas and include a step for removing the resulting semiconductor substrate; a step for placement of a first semiconductor inside the reactor; a step for introducing into the reactor a second impurity gas comprising as a structural element second impurity atoms, alone or in the form of a compound, which have conductivity that is the opposite to that of the first impurity atoms inside the first semiconductor; a step for heating the first semiconductor in an atmosphere of the second impurity gas; and a step for growing crystals of a second semiconductor on the heated first semiconductor.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour produire un substrat semi-conducteur adapté à la formation de plusieurs types différents de dispositifs, tels qu'un HBT et un transistor à effet de champ, sur un seul substrat semi-conducteur, plusieurs substrats semi-conducteurs étant produits en répétant plusieurs étapes comprenant une étape consistant à introduire un premier gaz d'impureté comprenant comme élément structurel des premiers atomes d'impureté, seuls ou sous forme de composé, dans un réacteur dans lequel des cristaux semi-conducteurs sont développés. Le procédé pour produire un substrat semi-conducteur comprend les étapes qui suivent l'étape d'introduction d'un premier gaz d'impureté et comprennent une étape consistant à retirer le substrat semi-conducteur résultant; une étape consistant à positionner un premier semi-conducteur à l'intérieur du réacteur; une étape consistant à introduire dans le réacteur un deuxième gaz d'impureté comprenant comme élément structurel des deuxièmes atomes d'impureté, seuls ou sous forme de composé, ayant une conductivité opposée à celle des premiers atomes d'impureté à l'intérieur du premier semi-conducteur; une étape consistant à chauffer le premier semi-conducteur dans une atmosphère du second gaz d'impureté; et une étape consistant à faire croître des cristaux d'un deuxième semi-conducteur sur le premier semi-conducteur chauffé.
(JA)
 単一半導体基板上にHBTおよびFETのような複数異なる種類のデバイスを形成するに適した半導体基板を製造する方法を提供する。半導体を結晶成長させる反応容器内に第1不純物原子を構成要素として有する単体または化合物を含む第1不純物ガスを導入する段階を含む複数の段階を繰り返して、複数の半導体基板を製造する方法であって、第1不純物ガスを導入する段階の後に、製造された半導体基板を取り出す段階と、反応容器内に第1半導体を設置する段階と、反応容器内に、第1半導体内で第1不純物原子と反対の伝導型を示す第2不純物原子を構成要素として有する単体または化合物を含む第2不純物ガスを導入する段階と、第1半導体を第2不純物ガスの雰囲気中で加熱する段階と、加熱した前記第1半導体上に第2半導体を結晶成長させる段階とを備える半導体基板の製造方法を提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報